SMIC 130nm的mismatch仿真与参数问题

hustwill · 发表于 2015-6-26 09:53:44

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做电路，需要做 mismatch仿真，用的SMIC 130nm工艺那个仿真模型里的参数都不是很明白是什么意思：
statistics {
mismatch {
   vary sigma_mis_a dist=gauss std=1/1
   vary sigma_mis_b dist=gauss std=1/1
   vary sigma_mis_c dist=gauss std=1/1
   vary sigma_mis_d dist=gauss std=1/1
         }
   }

inline subckt n12_mis_ckt ( d g s b )
parameters w=1e-6 l=1e-6 sa=sar sb=sbr as=asr ad=adr ps=psr pd=pdr nrd=nrdr nrs=nrsr mr=1 mismod=0

parameters dtox_n12_mis = atox_n12*1/sqrt(lef*wef*1e12*mr)*sigma_mis_a*mismod
parameters dxl_n12_mis = axl_n12*1/sqrt(wef*1e6*mr)*sigma_mis_b*mismod

以上这些是MC库里的关键部分。

(1) dist=gauss std=1/1，这里的 std=1/1是什么意思呢？
process部分，std=1/3。std=1/1和std=1/3有什么区别呢？

(2) mismod，要仿真mismatch，mismod是不能为0的，我改成为 mismod=1，这么做是不是对的呢？还是说有其它的选择？

(3) 常规管 n12, p12. n33. p33里，mismatch只影响 dtox和dxl二个参数，怎么不影响  Vth呢
我看了模型里的，n12管的Vth0里面完全没有mismatch的参数(sigma_mis_a这几个参数)

(4) 我直接用的 dist=gauss std=1/1, mismod=1做的 mismatch仿真，一个MOS管性能仿真结果比做 process 仿真的结果偏差还要大
按说，mismatch的偏差应该是要比process的要小吧
然后又把 mismatch的改成了 dist=gauss std=1/3，仿真结果跟 process的结果偏差就相差不大了。
做的一个仿真结果：mismatch 500, dist=gauss std=1/3, mismod=1

标准差 σ=11.48u, 平均值 161.25u，标准差/平均值 = 7.12%
没有 mismatch的数据，也不知道怎么弄才是比较合适的。也不知道怎么样的结果才是比较合适的。

希望大家帮忙解释下

liuweihuipan · 发表于 2015-6-26 16:17:18

1）首先分清楚process和mismatch的区别，process是针对不同die之间的工艺变化引起的偏差，可看为相对误差，而mismatch是针对同一个die中各个管子之间的偏差，可看为绝对误差。通常情况process的偏差较小；
2）mismatch主要影响 dtox、dxl、dxw和Vth四个值，一般对Vth的影响最大，0.18工艺下一般为5mVum左右。一般增大WL来降低失配；