Sentaurus GaN器件仿真求教

qhesen · 发表于 2016-4-7 19:49:01

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在Sentaurus仿真中，我用sde将GaN器件模型画出来后，定义了Contacts，掺杂并且网格化后，再运行cmd文件进行仿真，可是每次仿真的速度都挺慢的，仿真出来的结果也会发散。想要请教一下，GaN的cmd文件应该如何写。这里仿真的GaN器件很普通，是个FinFET，其它就和常规的MOS器件没什么区别。以下是我现在的cmd文件(之前在仿真模型模块发的帖子，没有人回，所以转到这边来了，希望有熟悉的人可以告知）

File {
  Grid    = "GaN_20nm_doublegate_msh.tdr"
  Parameter = "GaN.par"
  Plot    = "20nm"
  Current = "20nm"
  Output = "20nm"
}

Electrode {
  { Name= "source" Voltage= 0.0 }
  { Name= "drain"    Voltage= 2 }
  { Name= "substrate" Voltage= 0.0 }
  { Name= "gate" Voltage= 0.0 Material="Gold"}
}

Physics{
  Mobility(DopingDep HighFieldsat Enormal)
  EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom))
  Recombination(SRH(DopingDependence ExptempDependence))
}

Plot{
  eDensity hDensity eCurrent hCurrent
  Potential SpaceCharge ElectricField eQuantumPotential
  eMobility hMobility eVelocity hVelocity
  Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
}

Math {
  Extrapolate Derivatives RelErrControl Digits=6 Iterations=20
  NotDamped=100 Method=ILS Transient=BE
}

Solve {
Coupled(Iterations= 100 ){ Poisson  }
Coupled { Poisson  Electron Hole}
Quasistationary(
   InitialStep=0.001 Increment=1.35
   MinStep=1e-4 MaxStep= 0.05
   Goal { Name="gate" Voltage=1.5}
){ Coupled { Poisson  Electron Hole}
   CurrentPlot( Time=(Range=(0 1) Intervals=20)  )
}
}