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Sentaurus GaN器件仿真求教

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发表于 2016-4-7 19:49:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在Sentaurus仿真中,我用sde将GaN器件模型画出来后,定义了Contacts,掺杂并且网格化后,再运行cmd文件进行仿真,可是每次仿真的速度都挺慢的,仿真出来的结果也会发散。想要请教一下,GaN的cmd文件应该如何写。这里仿真的GaN器件很普通,是个FinFET,其它就和常规的MOS器件没什么区别。以下是我现在的cmd文件(之前在仿真模型模块发的帖子,没有人回,所以转到这边来了,希望有熟悉的人可以告知)

File {
  Grid      = "GaN_20nm_doublegate_msh.tdr"
  Parameter = "GaN.par"
  Plot      = "20nm"
  Current   = "20nm"
  Output    = "20nm"
}

Electrode {
  { Name= "source"    Voltage= 0.0 }
  { Name= "drain"     Voltage= 2 }
  { Name= "substrate" Voltage= 0.0 }
  { Name= "gate"   Voltage= 0.0 Material="Gold"}
}

Physics{
  Mobility(DopingDep HighFieldsat Enormal)
  EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom))
  Recombination(SRH(DopingDependence ExptempDependence))
}

Plot{
  eDensity hDensity eCurrent hCurrent
  Potential SpaceCharge ElectricField eQuantumPotential
  eMobility hMobility eVelocity hVelocity
  Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
}

Math {
  Extrapolate Derivatives RelErrControl Digits=6 Iterations=20
  NotDamped=100 Method=ILS Transient=BE
}

Solve {
   Coupled(Iterations= 100 ){ Poisson  }
   Coupled { Poisson  Electron Hole}
   Quasistationary(
      InitialStep=0.001 Increment=1.35
      MinStep=1e-4 MaxStep= 0.05
      Goal { Name="gate" Voltage=1.5}
   ){ Coupled { Poisson  Electron Hole}
      CurrentPlot( Time=(Range=(0 1) Intervals=20)  )
   }
}

发表于 2016-4-20 21:40:09 | 显示全部楼层
我也在做FinFETs
发表于 2016-10-27 12:47:56 | 显示全部楼层
楼主,解决了额么
发表于 2016-11-26 13:24:54 | 显示全部楼层
赞一个
发表于 2021-11-18 19:29:41 | 显示全部楼层
顶一下,虽然我不知道
发表于 2022-4-6 10:50:53 | 显示全部楼层
物理部分模型不对,还要添加极化部分
发表于 2022-4-6 10:52:15 | 显示全部楼层
氮化镓这种宽禁带半导体最好用瞬态扫描仿真,少有用静态扫描
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