金属线的十字连接，guarding ring，和seal ring问题

caotulang · 发表于 2015-4-9 18:36:50

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本帖最后由 caotulang 于 2015-4-9 18:39 编辑

版图中由几个问题，期望前辈解答一.我看到有的版图的金属线十字（或丁字）时，是斜角的如下图。
金属十字交叉.png

而我做的都是直角的。下图
自己画的十字.png

怎么能做到那中斜角的十字，而且这样有什么好处？
还有就是这种多边形的连接线怎么做？下图，就是用创建多边形（creat—polygon）么？不如他这个标准也很慢啊。
多边形金属.png

二.guarding ring的选择
1.NMOS,和PMOS间为了防止闩锁要加哪种保护环？ N注入+contact+metal1？然后接地还是接vdd？
2.模拟部分和数字部分的隔离要加哪种保护环？看文献是两层：“N型掺杂到电源接触和P型掺杂到衬底接触”这是什么意思？
3.整个芯片的seal ring怎么做？是包括所有的层和通孔对吧，但是具体的呢
design rules里面只有seal ring的信息，去除buffer area10um，sealing ring只有15um，但是看到有说80~100um的？
因为是小白，最好是能详细点，包括用到的层，宽度，要是能截个图实际看看就更好了。问的比较乱，见谅

motofatfat · 发表于 2015-4-10 10:45:53

怎么能做到那中斜角的十字，而且这样有什么好处？
有一個切斜角的功能 , 讓電流順一些也讓製程好做一些

先畫長方形切斜角 + 長方形 merge 也能做到

1.NMOS,和PMOS间为了防止闩锁要加哪种保护环？  2 種都加
N注入+contact+metal1？然后接地还是接vdd？
N型接 VDD , P型接 GND

2.模拟部分和数字部分的隔离要加哪种保护环？ 2 種都加
看文献是两层：“N型掺杂到电源接触和P型掺杂到衬底接触”这是什么意思？
N型 ( NPLUS + OD 那種 ) 接 VDD , P型 ( PPLUS + OD 那種 )  接 GND

3.整个芯片的seal ring怎么做？是包括所有的层和通孔对吧，但是具体的呢
design rules里面只有seal ring的信息，去除buffer area10um，sealing ring只有15um，但是看到有说80~100um的？

看 design rule 上的圖 , 愛作多寬作多寬  T 晶圓代工的 0.18 u 大約 30 um