如何理解vod和vdsat

scvready

仿真工具在判断晶体管工作区时时比较vds与vod的大小，但是理论上与vdsat比较是最准确的。实际中vdsat与vod大小会有所不同，我们在设计电路过程中到底怎么理解vod与vdsat大小的不同？

峰情万种

这个应该考虑mos管工作在哪个工作区域吧。

fightshan

vdsat是什么？

jamesccp

vod  = vgs - vth 俗称过驱动电压
vdsat 是指沟道饱和电压。
由于二级和其他效应，沟道电流在vds 到达 vod 之前就饱和了

lasang123

仿真工具在判断晶体管工作区时时比较vds与vod的大小，但是理论上与vdsat比较是最准确的。实际中vdsat与vod大 ...
scvready 发表于 2015-1-8 17:42

                               
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我的理解是这样：
当MOS管处于强反型时，它处于饱和区的vdsat=vod=VGS-VTH;当MOS管处于弱反型时，它处于饱和区的vdsat不等于vod=VGS-VTH，此时的Vod为负值，而vdsat为正值，而且vdsat会大于等于3VT,这里的VT是热电压26mv.

scvready

回复 5# lasang123


   一般都是在中级反型区，此时VOD 和 VDSAT也不想等，这段怎么理解。弱反型和强反型情况很少遇见，因为不太会这么设计。

scvready

回复 4# jamesccp


   很常见VDSAT大于VOD

上海大学

差不多大

清醒的神话

可参考这个帖子，讲的很细致。从模型的角度看，就是长沟道器件，vdsat=vod；短沟道器件，vdsat<vod，
器件在沟道夹断前就会达到电流饱和，一般看vds和vdsat的差值来判断是否工作在饱和区。

https://downey9527.wordpress.com/2018/10/05/vdsat、vov、vds聯繫與區別/

研究生笑笑

长沟道器件，只需要考虑一阶效应，Vod(也有称做Vov, over-drive voltage)=Vgs-Vth≈Vdsat.
短沟道器件（<0.5um），需要考虑二阶效应， Vdsat是表征沟道pinch-off现象出现、电流饱和时的drain-source voltage, 此时有Vdsat<Vod， 当然Vod关系不变，还是Vod=Vgs-Vth。
Vdsat是各软件用来判断管子工作状态是否在饱和区的参数，关系为Vds>Vdsat。不过实际设计时一般要保证Vds-Vdsat>50mV，因为一是防止工艺误差或信号扰动导致管子状态偏移，二是饱和区边缘的rds小，本征增益差。合适余量在200mV，差分管因为共模抑制性好，余量可以放宽在100mV。
在仿真时一般只用管Vdsat，hand-calculation时一般只考虑Vod(也没有Vdsat).