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楼主: scvready

[讨论] 如何理解vod和vdsat

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发表于 2022-11-18 14:26:22 | 显示全部楼层


lasang123 发表于 2015-1-9 17:32
我的理解是这样:
当MOS管处于强反型时,它处于饱和区的vdsat=vod=VGS-VTH;当MOS管处于弱反型时,它处于 ...


这个怎么理解呢,那个这个时候参数都对上了,但是仿真器上却显示cutoff,而不是Subthreshold,这是为什么呢?楼主
发表于 2022-12-24 15:14:50 | 显示全部楼层
学习
发表于 2023-8-9 10:17:44 | 显示全部楼层
学习
发表于 2023-9-22 15:47:26 | 显示全部楼层


研究生笑笑 发表于 2022-4-30 12:28
长沟道器件,只需要考虑一阶效应,Vod(也有称做Vov, over-drive voltage)=Vgs-Vth≈Vdsat.
短沟道器件(50m ...


是仿真分析时候用Vdsat替代Vod吗(二者在分析中等价,一个用于手算一个用于仿真)
发表于 2023-9-27 09:42:26 | 显示全部楼层


一个头五个大 发表于 2023-9-22 15:47
是仿真分析时候用Vdsat替代Vod吗(二者在分析中等价,一个用于手算一个用于仿真)
...


不是代替,如果你用virtuoso,可以看到软件把Vdsat写上了,而Vov=Vds-Vth你是可以自己算的,是不相等的。是不用Vod,而只用Vdsat来判断饱和区。而在手算分析中,没有Vdsat这种数据,你无法判断电子速度在什么电压下饱和,所以统一用Vov这种简单但可能不精确的数值。
发表于 2023-10-9 14:45:36 | 显示全部楼层


饱和漏源电压或夹断时漏源电压(刚出现夹断)
发表于 2024-4-10 19:08:20 | 显示全部楼层
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