关于cell的HVT、NVT、LVT与cell的功耗问题

hongshanic · 发表于 2014-11-10 16:33:19

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cell的VT应该与cell的功耗有很大关系，阈值电压越高，功耗越大，同一种cell的了leakage_power应该是LVT 〉NVT > HVT,
可是库中的定义严重摧毁了我的世界观，HVT的cell竟然比NVT的leakage_power要大？？！！如下图，
烦请大大们指导一二，不胜感激！

hongshanic · 发表于 2014-11-10 17:41:48

自己顶起！！！！！！！！

Timme · 发表于 2014-11-10 20:24:53

看看CDL里调的是什么管子

icfbicfb · 发表于 2014-11-11 10:10:21

leakage和温度，corner有关系的，不是一层不变的，

这个问题直接问lib vendor啊，

有的值也不准的，

icfbicfb · 发表于 2014-11-11 10:10:21

leakage和温度，corner有关系的，不是一层不变的，

这个问题直接问lib vendor啊，

有的值也不准的，

hongshanic · 发表于 2014-11-11 14:25:43

回复 5# icfbicfb
谢谢，
请问老大：如果是相同的PVT等外部条件，HVT的leakage_power应该是比LVT的低吗？
还有：leakage_power就是指静态功耗吧？LVT与HVT的功耗相比，是动态功耗增大还是静态功耗增大？

jinwei91 · 发表于 2014-11-11 16:16:18

温度，corner还有gate length等等都会有影响。其他条件相同的话应该是hvt<svt<lvt。

xylyc521 · 发表于 2014-11-11 19:51:17

回复 1# hongshanic

建议问问ventor吧把消息告诉我们

koren · 发表于 2014-11-13 11:04:06

不能这样简单比较

IC后端 · 发表于 2014-11-13 22:07:43

相同PVT下面是HVT<RVT<LVT的，而且相差还很大，你问一下vendor,我也想知道，请问是什么工艺？？

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