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查看: 10184|回复: 9

[求助] 二极管连接的负载的共源极仿真问题

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发表于 2014-5-28 23:24:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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捕获.PNG
我是在看拉扎维的书时发现的问题,上图就是二极管连接的负载共源极单级放大器,图中我标红的线就是仿真图里的曲线,电源是5V,输入我用dc扫描,从0V到5V,拉扎维书里说如果输入小于阀值电压的话,输出应该是vdd-Vt。但我输入等于0V时仿真出来的结果却是小于vdd-Vt,还有按我自己的理解0V时下面的输入管不是应该不导通吗,输入应该被拉到电源电压的吗,但实际为什么是低于vdd-Vt那么多?????????????????????
 楼主| 发表于 2014-5-29 00:18:41 | 显示全部楼层
:'(:'(:'(:'(
发表于 2014-5-29 10:10:12 | 显示全部楼层
MOS管在截止的时候也是有漏电的,大约有-10量级的电流,因此可以把它看成是个极大的电阻。而上面那个饱和区的MOS管的电阻也很大,只是比截止区MOS管的电阻小几个量级,因此VOUT实际上是两个电阻的分压,比较接近VDD的电压。
发表于 2014-5-29 13:21:02 | 显示全部楼层
为什么楼主觉得不是Vdd-Vt呢?考虑到衬偏的存在,Vt到1.2V完全有可能啊!
发表于 2014-5-29 13:43:36 | 显示全部楼层
建议作diode的NMOS用PMOS代替。
发表于 2014-5-29 22:51:38 | 显示全部楼层
there is a leakage current at the cutoff .. simulations are not 100% similar to equations
 楼主| 发表于 2014-6-1 09:41:01 | 显示全部楼层
回复 4# bsaqycx
因为我以为管子截止时是没有泄露电流的,以为仿真是理想的
 楼主| 发表于 2014-6-1 09:42:25 | 显示全部楼层
回复 6# elec_888

恩,是的,谢谢啦
发表于 2016-5-12 18:08:09 | 显示全部楼层
把体端连接到源端上来消除体效应,再次仿真看看
发表于 2023-2-28 11:49:45 | 显示全部楼层
背栅效应会导致上管的阈值电压升高,因为上管的Vbs会减小,除此之外还需要考虑亚阈值漏电流
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