二极管连接的负载的共源极仿真问题

jiahe8726012 · 发表于 2014-5-28 23:24:27

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我是在看拉扎维的书时发现的问题，上图就是二极管连接的负载共源极单级放大器，图中我标红的线就是仿真图里的曲线，电源是5V，输入我用dc扫描，从0V到5V，拉扎维书里说如果输入小于阀值电压的话，输出应该是vdd-Vt。但我输入等于0V时仿真出来的结果却是小于vdd-Vt，还有按我自己的理解0V时下面的输入管不是应该不导通吗，输入应该被拉到电源电压的吗，但实际为什么是低于vdd-Vt那么多？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？

jiahe8726012 · 发表于 2014-5-29 00:18:41

:'(:'(:'(:'(

popfly51 · 发表于 2014-5-29 10:10:12

MOS管在截止的时候也是有漏电的，大约有-10量级的电流，因此可以把它看成是个极大的电阻。而上面那个饱和区的MOS管的电阻也很大，只是比截止区MOS管的电阻小几个量级，因此VOUT实际上是两个电阻的分压，比较接近VDD的电压。

bsaqycx · 发表于 2014-5-29 13:21:02

为什么楼主觉得不是Vdd-Vt呢？考虑到衬偏的存在，Vt到1.2V完全有可能啊！

mikeppq · 发表于 2014-5-29 13:43:36

建议作diode的NMOS用PMOS代替。

elec_888 · 发表于 2014-5-29 22:51:38

there is a leakage current at the cutoff .. simulations are not 100% similar to equations

jiahe8726012 · 发表于 2014-6-1 09:41:01

回复 4# bsaqycx
因为我以为管子截止时是没有泄露电流的，以为仿真是理想的

jiahe8726012 · 发表于 2014-6-1 09:42:25

回复 6# elec_888

恩，是的，谢谢啦

旖旎四中 · 发表于 2016-5-12 18:08:09

把体端连接到源端上来消除体效应，再次仿真看看

yiwang-base · 发表于 2023-2-28 11:49:45

背栅效应会导致上管的阈值电压升高，因为上管的Vbs会减小，除此之外还需要考虑亚阈值漏电流

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