请教关于雪崩击穿和漏电

ygyg100 · 发表于 2014-4-4 09:48:41

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温度越高pn结雪崩击穿电压越高，但是温度越高pn结漏电越大，这两个不是矛盾的么？高人给解释下吧，谢谢！

PKU_ZH · 发表于 2014-4-4 10:53:59

本帖最后由 PKU_ZH 于 2014-4-4 11:19 编辑

漏电流是由于少子电子和空穴的抽取引起的，而雪崩击穿是由于碰撞电离引起的，碰撞电离是因为半导体的共价键断裂产生电子空穴对。雪崩击穿随温度升高的原因是随温度升高，晶格散射变强。个人认为，虽然漏电流增大会增加可以使达到半导体禁带宽度能量的电子，但是产生雪崩倍增的条件应该是主要考虑的。因为漏电流再大，如果在耗尽区没有内产生雪崩倍增，那么反向电流都会是有限的，不会产生击穿。

ygyg100 · 发表于 2014-4-4 11:38:32

温度高漏电流增大不是会造成击穿电压下降么？比如我们一般认为反向电流1uA时是击穿点，那么温度越高达到1uA漏电的电压就会越低，不就是击穿电压越低么？雪崩击穿电压随温度升高而增大的前提是不是认为没有其他漏电流？

crazy_fuck · 发表于 2014-4-5 12:00:22

不能以1uA的条件去判断breakdown Voltage，这个是常温条件，对高温不适应，主要是看电流的突变点。雪崩击穿电压主要是跟晶格碰撞电离有关系，温度高，电离得更多，但晶格原子振动得更激烈，被散射概率更高，也即载流子平均自由程更短，这样会影响到获得能量，这样就会导致要获得同样的倍增因子就需要加大电压来补偿。

ygyg100 · 发表于 2014-4-8 09:42:31

回复 4# crazy_fuck

感谢大牛！茅塞顿开。

enian · 发表于 2014-10-1 02:39:25

恩恩说的不错

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