请教工艺角中的SF和FS

长路漫漫

什么情况下才有有慢N快P或者快N慢P的情况出现呢？
看过一个文章，说这两种情况是比较少见的，而且我们在仿真的时候也很少仿真这两个工艺角。
那么他们存在的意义是什么呢？求解。thx！

kwankwaner

回复 1# 长路漫漫


   你看看process的测试图，tt是中心值，其他几个corner都是边界极限，都应该是在3sigma的位置概率应该是一样的。对于不同的指标，不同的结构，worst corner在任何地方都是可能的。

hszgl

回复 2# kwankwaner


     楼上，你理解的有问题。那是个参数分布图，不是概率分布图。

     MOS管会出现F、S的情况，可能由两种情况导致，一种是栅的L出现细微的偏差，一种是栅氧厚度出现希望的偏差。对于栅氧，因为PMOS和NMOS的栅氧是一起长的，所以不管栅氧是不小心长厚了或者薄了，对管子的影响一样，所以一般只会产生FF、SS的情况。但对于L，如果N/P的栅方向一致，那么就很难出现N变长，P变短（SF）或者P变长，N变短（FS）的情况。但如果方向不一致，这就不一定了。甚至有些厂X轴和Y轴的工艺精度都不一样。
     这也是为什么，在画版图的时候，通常要求栅朝向一致的原因。

kwankwaner

回复 3# hszgl


    1 你理解错了，我没说那个是概率分布图，因为横纵坐标都代表相同的量纲。我说在那张图上的边界处代表仿真model中几个极限工艺角，而其边界就是mc仿真中撒点的3sigma值，所以在边缘的可能性都是很低的。所以用工艺角仿真都是在仿mc的极限值，而且SF或者FS并不是真的S和F的组合，往往在中间的地方。
    2 F还是S的出现不能光从尺寸上看，还有掺杂浓度栅氧厚度等工艺参数，np在不同阱所以差异肯定有，你看看model参数就知道F,S变化的是tox，VTH和迁移率等变化。我想因为tox应该是一起变所以vth相对变化不大，但迁移率一定是反着变的。而且WL的差异也不会说因为同向的原因而不变，不然大家就不用做mismatch了。

hszgl

回复 4# kwankwaner


    迁移率是反着变？另外载流子迁移率和浓度的关系是什么？
    请复习半导体物理，谢谢。
    另外，Corner是根据统计学计算出来的参数值。是为了覆盖最差情况，和真正生产中的良率不等价。

hszgl

回复 4# kwankwaner


    刚才那个没审核出来。重新回复你一遍。
    关于迁移率是不是反着变以及和浓度的关系，建议你复习半导体物理。
    FS和SF就是两个管子分别在F和S情况下的组合。不然你可以仿真看参数。3sigma不过是根据高斯分布计算出来的，和真正制造过程中的分布几率没有必然联系。

kwankwaner

回复 6# hszgl


    所谓反变是指相对tt来说S和F的变化相反，建议你好好看看model文件以及增加理解能力（我提高表达能力）
    SF和FS绝不是一个S值和F值的组合，在我之前提到的图上就可以看出，那个图是椭圆的，如果是S值和F值的组合那么图应该是方形的。当然再次建议你看看model文件和工艺的datasheet。这个我们很多工程师都讨论过
   最后，工艺制造过程同大部分自然现象一样遵循高斯分布，这个一般在mcmodel的sheet里面会有说明

hszgl

回复 7# kwankwaner


    抱歉，可能你接触的工艺比较高端，这方面比较严谨。我印象里看到的图是方的（但是刚才回去找没找到）。
    刚才根据你说的去对比里下几个工艺，某大牌工艺做的比较好，各个管子在不同corner下的参数都有（tox，vth等）；某小牌工艺就比较搓了，只有TT SS FF的参数，而FS和SF就是简单组合，所以变成方形。
    可能这是就造成我理解偏差的原因。
    另外，关于迁移率，N型载流子和P型载流子的变化是同趋势的。且在mos管的掺杂层面还不至于做到浓度影响迁移率的程度。
    我这有张表，就是刚才说的某大牌工艺的，其中并没计量迁移率的变化，可以参考：

kwankwaner

回复 8# hszgl




另外关于相对变化我再解释一下
假设n阱工艺，相对tt时候的掺杂，p掺杂增加了，n阱减小了，那么npmos的迁移率相对其tt怎么变化？可以理解了吧

hszgl

回复 9# kwankwaner


    掺杂影响的是浓度。浓度大的一定程度才会通过库伦散射明显影响迁移率。
    掺杂的Corner会导致5%的迁移率变化？你这是哪家的工艺？