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查看: 3723|回复: 4

[求助] 一个工艺上的问题

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发表于 2013-10-25 10:23:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大神,我们如果电路中使衬底和源电位相等,这个在工艺上是怎么实现的呢?是通过打孔很多吗?
发表于 2013-10-25 13:34:45 | 显示全部楼层
heavy doping + contact
发表于 2013-10-25 14:30:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 朱立平 于 2013-10-25 16:02 编辑

盡量讓 buck OD (with N+ or P+, buck OD 做成guard ring (guard ring should be wide, contact number as many as possible), 防止Vbs (Vth) 飄移, Vbs = 0 ) 接近MOS的 Source (source OD with contact as many as possible). Source & body terminal as near as possible. 盡量讓 bulk OD & source OD 越近越好 以防止 latch up
 楼主| 发表于 2013-10-25 15:14:03 | 显示全部楼层
回复 2# s2is


    谢谢,原来这样就可以了啊
 楼主| 发表于 2013-10-25 15:21:57 | 显示全部楼层
回复 2# s2is


    这个heavy doping是指衬底要重掺杂是吧~
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