bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-11 11:18:39

回复 50# hszgl

哦，这样啊，不是利用沟道注入改善阈值么，这样不是更好么，还不影响寄生电容。可能各有利弊把。

hszgl · 发表于 2013-9-11 11:35:46

回复 51# jiang_shuguo

沟道注入是改善手段，调整范围有限。C=Q/V。V减小了，要保证有足够的载流子浓度，只有增大C。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-11 11:38:45

回复 52# hszgl

沟道调整注入都能得到耗尽管，这个改善不是有限把，应该很强劲。

hszgl · 发表于 2013-9-11 11:57:55

回复 53# jiang_shuguo

耗尽管的工作区间和常规管不一样。不能这样做对比。一个正常的mos，一般认为反型层载流子浓度须高于衬底载流子浓度一个量级以上。由于半导体衬底不是简单的电容极板，反型层载流子会向衬底扩散，沟道注入的目的是为了使反型电荷积累更容易。但还是电容，电荷量遵循基本规律。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-11 12:51:39

回复 54# hszgl

哦。

lgy747 · 发表于 2013-9-11 13:03:35

回复 45# jiang_shuguo

关于高介电常数的原因，gm正比cox，而cox=介电常数/tox，因为栅隧道电流，tox不能无限制地小，只能通过提高介电常数来提gm了，小姜同学应仔细阅读hszgl的叙述，hszgl和ygchen2是正确的。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-11 13:07:01

回复 56# lgy747

hehe，你再看看吧。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-11 13:07:29

回复 56# lgy747

因果关系都没搞懂！

fuyibin · 发表于 2013-9-11 13:13:46

本帖最后由 fuyibin 于 2013-9-11 13:14 编辑

回复 jiang_shuguo

提高Cox是为了能在更低的电压下让半导体反型。直观的理解就是减小Vth。可能你 ...
hszgl 发表于 2013-9-11 11:07

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提高Cox不是为了降低Vth，这是个理解不怎么正确，只是在发现在减小tox/增加Cox的时候Vth也减小，并不一定是大家希望见到的结果
transistor可以理解为一个vcvs压控开关，Cox越大，控制就越强，这个就是gm增大，器件变快
这个就是工艺一代一代越来越快的原因，或者说是做器件的engineer的目的，就是把device做的更快
至于gate oxide需要用high-k的原因是因为普通二氧化硅/氮氧化硅的物理极限，现在已经到2nm左右了，也就几个原子层的厚度，
gate leakage变得很严重，所以要增加gate oxide的物理尺寸，那么high-k gate oxide就是一个必然的选择
by the way,通常现在的spice model里还是会看到tox=2nm，其实那是一个等效到SiO2的厚度，并不是真的gate oxide的厚度

lgy747 · 发表于 2013-9-11 13:21:18

原理是这样的。热噪声：4KTjgm，一般j=2/3,而j是随工艺变化的，比如0.13工艺j值比0.18工艺j值的大50%
1/f ...
jiang_shuguo 发表于 2013-9-10 16:00

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关于这段话“1/f 噪声：Kf/(WLCox*Cox),Cox正比1/tox,工艺越先进tox越小，Cox越大，Kf/(WLCox*Cox)越小，而且这种变化是平方变化，变化很快。”
先不说公式分母遗漏了f，而且1/f 噪声的功率谱密度和cox成反比，而不是和cox的平方成反比

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