bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

china8894 · 发表于 2013-9-10 14:00:55

回复 20# jiang_shuguo

基准的输出放了一个大概2.5P的mos电容，说错了我测得是20到100KHz的频率。，我觉得应该是支路的电流较小的原因吧，我每路是5uA，运放是10uA

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-10 14:11:50

回复 21# china8894

能给下你op中输入管的面积么？如果你真的要低噪声的基准（比如10Hz-100KHz），你要加一个RC低通截止频率约为1Hz，大电容一般利用片外电容实现。你说的10-100KHz是10KHz还是10Hz？如果你只是先减小基准的噪声（仿着玩）你看下教课书关于noise内容，足够解决你的问题。

china8894 · 发表于 2013-9-10 14:24:48

回复 china8894

能给下你op中输入管的面积么？如果你真的要低噪声的基准（比如10Hz-100KHz），你 ...
jiang_shuguo 发表于 2013-9-10 14:11

登录/注册后可看大图

我的输入对管的w：10u L：6u m值为8 ，仿真的频率是10Hz到100KHz，没太懂你的RC是什么意思？我仔细看看噪声那一块

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-10 14:30:47

回复 23# china8894

什么工艺啊，那么小的管子flicker noise 那么小啊！呵呵这个东西就是model的问题。东西作出来就不是这么回事了。而且猜你的工艺也应该是0.35um以上的，居然flicker noise 这么小。

china8894 · 发表于 2013-9-10 14:50:58

回复 china8894

什么工艺啊，那么小的管子flicker noise 那么小啊！呵呵这个东西就是model的问题 ...
jiang_shuguo 发表于 2013-9-10 14:30

登录/注册后可看大图

我用的是tsmc .18的工艺，这个我也不清楚啊

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-10 14:57:23

回复 25# china8894

工艺越先进，flicker noise 系数越大啊，看来我们用的工艺太烂了，所以噪声大。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-10 15:02:35

不好意思，我搞反了，应该是工艺越先进热噪声越大，1/f噪声越小。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-10 15:03:51

你在0.18工艺下，热噪声主导是正常的。我们0.5um的就相反了。

china8894 · 发表于 2013-9-10 15:07:33

回复 28# jiang_shuguo

是这个样子吗？我基本上前20个主导的大噪声都是热燥，FN噪声确实很小很小，我们还在用28nm和40nm的工艺，回头我仿真一下，试一试，是不是这个样子

hszgl · 发表于 2013-9-10 15:19:33

回复 15# jiang_shuguo

好吧我以为他说的是bjt。。

[求助] bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？

浏览过的版块

站长推荐 /1