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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端资料区 › GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明 ...
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楼主: icbbs

[资料] GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明

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rectinajh
发表于 2012-9-6 14:45:37 | 显示全部楼层
死了，都要顶。
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a22700773
发表于 2012-12-3 15:55:53 | 显示全部楼层
謝謝你的分享,現在超級需要的 感謝!
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larc6
发表于 2012-12-3 23:26:09 | 显示全部楼层
thank you v ery much
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Alicezw
发表于 2012-12-4 09:29:26 | 显示全部楼层
谢谢啦！下来看看
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zsjking1024
发表于 2013-1-24 13:01:27 | 显示全部楼层
下来看看 谢谢
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jiangding116
发表于 2013-1-24 16:52:03 | 显示全部楼层
thanks
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jiangding116
发表于 2013-1-24 16:52:59 | 显示全部楼层
不错！！！
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journeygo
发表于 2013-4-13 14:34:56 | 显示全部楼层
原理不算难，不知谁有定量的说明？
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broccoli
发表于 2013-7-3 09:46:51 | 显示全部楼层
kanxia
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llhorse
发表于 2013-9-7 12:31:14 | 显示全部楼层
希望有用
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