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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端资料区 › GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明 ...
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楼主: icbbs

[资料] GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明

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939903347
发表于 2015-9-8 11:09:47 | 显示全部楼层
看了，谢谢楼主。
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chrisdy
发表于 2015-9-8 23:38:43 | 显示全部楼层
谢谢分享
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yeshengseu
发表于 2015-11-2 10:01:40 | 显示全部楼层
太基础了 不过还是非常感谢分享！
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零点61吧
发表于 2015-11-8 21:00:21 | 显示全部楼层
xuexi,thanks
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零点61吧
发表于 2015-11-8 21:09:40 | 显示全部楼层
many thanks
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核桃树
发表于 2016-1-11 17:32:16 | 显示全部楼层
讲得真好~GGNMOS
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left2write
发表于 2016-1-26 16:09:56 | 显示全部楼层
Brother, its in Chinese.
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帮主910
发表于 2016-3-10 10:13:53 | 显示全部楼层
刚好！
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ralphtwtw
发表于 2016-3-21 14:19:06 | 显示全部楼层
good for ESD !!!
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caesar_zhang
发表于 2016-4-8 15:51:09 | 显示全部楼层
不孬！呵呵
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