低电压电流基准

hustcg · 发表于 2013-9-3 10:08:39

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请问，现在低电压（0.95V）的电流基准源有哪些实现方式？

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 10:33:00

ibias
回复 1# hustcg
给你个参考，你研究下把，

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 10:35:05

回复 1# hustcg

刚才的少了个连线。不知道你mos的阈值是多少？

ibias

ygchen2 · 发表于 2013-9-3 10:40:05

回复 1# hustcg

如果电源不小于0.95V，电流模式bandgap应该没问题。弱反型MOS的参考源也可以，但据说没有电流模式带隙参考好--不过自己没用过。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 11:27:56

回复 4# ygchen2

电流模式bandgap（banba cell）里面的运放怎么搞啊？低压运放你得给个结构，用电流放大器的话要看Vth了，放大器中bjt应该是用不了的。
还有他问的是基准电流，

hustcg · 发表于 2013-9-3 13:34:58

回复 5# jiang_shuguo 想问下，大家做低压的电流基准时是直接做参考电流还是先设计bandgap再通过V-I转换电路得到电流？这是不是跟精度有关？

hehejiuaixiao · 发表于 2013-9-3 13:40:39

回复 3# jiang_shuguo

你这电路0.95V肯定工作不了，最小电压就是两个VGS了

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 13:42:22

回复 7# hehejiuaixiao

你没看到我问他vth是多少了么？

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 13:43:07

回复 6# hustcg

这个要考虑的很多，看那个合适你

hustcg · 发表于 2013-9-3 13:54:36

回复 9# jiang_shuguo

我的是要产生两路20uA±0.2uA的基准电流，对精度要求不是很高，主要是匹配度要高，还有在0.95V甚至要考虑10%的电源电压偏差下，用传统的含bjt管的bandgap结构（如：Banba结构）可以满足吗？我尝试后发现直接做电流基准时能工作的最小VDD可能不合要求，做bandgap时PSRR又太小，所以想看看亚阈值区的结构，听说这种结构可靠性差，因为要流片，不知道合不合适？

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