LDO出现的怪现象，求解答

jiang_shuguo

回复 49# kwankwaner


    IV够不够陡取决于两个：1是将节点电压拉大的IV特性，这个钳位的IV特性要陡于将节点电压拉大的IV特性，否则zener也是扯淡。想你这种，需要你分析出现节点压差增大的情况。
2是diode 连接的mos IV可调，可仿真，zener完全取决于版图和工艺。他的特性怎样，你不知道，只能估计。

  有源钳位这个概念是一类特性的概括，diode 连接的mos 完全符合这个特性，就是试用这个概念。不要以为soc里面的esd 用有缘钳位，而哪里的结构跟这个不同就狭隘的认为只有那一样的条件是有缘钳位。
active clamp：是钳位器件工作在有源区，并在特定条件下具有钳位功能。这个active clamp可以是电路可以是器件。

jiang_shuguo

回复 49# kwankwaner


    回帖我都看了，你们谈的是zener，我没意见；我谈的是diode 连接mos，的可行方案，你在没有实验数据来验证该方案是否可用于你的电路的情况下完全否定，我才回复的。

kwankwaner

回复 52# jiang_shuguo


    你的1我看不太懂，关于2，zener没有model吗，好像很多都有吧，一样可以仿真。
    我开始就觉得不行，但也是仿过之后才回复你的，不是无凭无据
   
    你看看图就知道了吧

mpser

就是基本机构

jiang_shuguo

回复 53# kwankwaner


    我补充下，我说的不能仿真的是bjt管代替实现zener。

jiang_shuguo

回复 53# kwankwaner


    还是没依据，因为你根本没有分析出来节点电压被拉开的原因，并给出拉开节点电压的IV特性。

jiang_shuguo

我上面说的是要你根据你哪个电路的应用环境具体分析的，你的节点电压也可能不会拉开

kwankwaner

回复 56# jiang_shuguo


    我是不太懂什么叫“节点电压被拉开”，哪个节点？拉开是什么意思？

kwankwaner

回复 50# ygchen2


    能否举个例子啊

kwankwaner

回复 55# jiang_shuguo


    那你的意思是他说的用bjt代替的方法不可行？