smic 180nm CMOS工艺中PIP电容的问题

我爱喝豆腐脑 · 发表于 2013-7-26 14:14:52

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请教各位大神，看到有电路设计师要求将PIP电容放在N阱里，不知道这是为什么啊？？？难道是电路有什么特殊要求吗？？？

farseeker · 发表于 2013-7-26 15:20:13

摘自某讲义：

有些设计为了降低电容上极板和衬底的寄生电容，将PIP电容制作在深N+扩散区内。

winsm · 发表于 2013-7-26 16:19:23

主要是减少寄生，减少干扰。增加稳定性。

我爱喝豆腐脑 · 发表于 2013-7-29 10:47:06

谢谢您的解答

我爱喝豆腐脑 · 发表于 2013-7-29 10:48:14

谢谢您的解答！！！

zhanggd · 发表于 2013-8-7 14:57:45

受教了

fridom · 发表于 2013-9-11 09:21:51

回复 1# 我爱喝豆腐脑
SMIC018工艺中PIP电容吗？那位用过的请解释一下，非常感谢！

dabing · 发表于 2013-9-11 09:26:39

回复 1# 我爱喝豆腐脑

应该是出于noise sheilding的原因，另外，如果是locos工艺，应该还是考虑到寄生电容的影响，你们的designer应该是比较有资历了

李李li · 发表于 2015-11-3 16:42:20

回复 3# winsm 问一下经常在资料中看到的180nmCMOS工艺和110nm工艺区别差在哪里

tangxianhong123 · 发表于 2019-2-25 20:43:03

高手，牛人，可以

[求助] smic 180nm CMOS工艺中PIP电容的问题