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查看: 6021|回复: 9

[求助] 请教一个关于CSMC 0.5um标准工艺和0.5um BCD工艺的问题。

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发表于 2013-6-17 22:13:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟用在CSMC 0.5um 标准工艺库里的 model application note 里读到一句话:      Usually ,BJT model is not scalabal. Therefore,according to different emitter area,three BJT models are provided.
      小弟有几个疑惑?
      1、这句话是不是意味着如果是BJT,我可以设计其为任意大小?
      2、如果这个BJT可以设计为任意大小,我在仿真库里就只看到了3个固定大小的BJT的模型,如果我要仿真其他大小的BJT那应该怎么办?
      3、有没有对这个工艺熟的大神,我想问下,用这个工艺中的BJT能提供1A的驱动电流吗?

      另:在CSMC 0.5um 的BCD工艺库里的model application note里,小弟也有几个疑惑?
       1、为什么LDMOS没有给出具体的其导通电阻大小啊?这样我也无法得出其相应电压下最大驱动电流的大小。
       2、有没有对这个工艺熟的大神,我想问下,用这个工艺中的BJT和LDMOS配合能提供1A的驱动电流吗?


     附:小弟主要想做一个芯片驱动一个功率MOSFET,其输入电容为1nf左右,开关频率应该达到10M Hz。所以希望的驱动电流较大。
     我是新手,希望各位教教我,混个学位不容易啊。
发表于 2013-6-17 22:27:36 | 显示全部楼层
其输入电容为1nf左右,开关频率应该达到10M Hz
驱动I 要很大了
发表于 2013-6-18 13:38:17 | 显示全部楼层
1,2,这句话的意思是,BJT你不能任意设计。只能用他给的现成的版图串联或并联。
3,标准工艺里的bjt最大beta才9.6,也就是说你输入的管子Ib要100mA ,每个BJT的驱动能力是有限的,我记得qvp10的一个在3mA左右,这个你仿真下知道了。beta大的qvp5就更小了,要输出1A的话,你自己算下要几个吧。

另:没有给的话,仿真下Vgs/id曲线。
应该是有的,我查下。
发表于 2013-6-18 13:44:17 | 显示全部楼层
ST3600工艺的process application note里7.4.4节有LDMOS的Rdson,仔细看看。
 楼主| 发表于 2013-6-18 21:04:20 | 显示全部楼层
回复 4# hszgl

受教了,多谢多谢。
 楼主| 发表于 2013-6-19 19:47:47 | 显示全部楼层
回复 3# hszgl

大哥,能加你QQ吗?我的是411736546.
发表于 2014-1-8 12:25:11 | 显示全部楼层
学习中!!!
发表于 2014-1-8 12:38:53 | 显示全部楼层
纠正:
“1,2,这句话的意思是,BJT你不能任意设计。只能用他给的现成的版图串联或并联。”
仅并联。呵呵。
发表于 2014-1-8 17:05:52 | 显示全部楼层
回复 8# sli103105


    达灵顿接法算串联还是并联?我还没搞清楚,请赐教。
发表于 2024-3-8 20:29:54 | 显示全部楼层
求一个BCD工艺库老哥
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