在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 11425|回复: 17

[求助] 到底应该仿几种corner?

[复制链接]
发表于 2013-6-10 21:13:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
有的人告诉我对于一个模拟电路要跑完ss ff tt sf fs,可有的人又告诉我只要跑完ff ss tt 就行了
真心求教到底要跑哪几种呀
发表于 2013-6-10 21:32:20 | 显示全部楼层
一般来说,大部分都是tt,但是这个服从正态分布,所以大部分tt,但是当你大规模量产的时候,ss,ff也会出现。fs和sf出现的几率更小,如果运气差,或者说小概率出现了,那可能你第一次流片就会出现fs或者sf这种。为长时间量产考虑的话,建议全部都跑。
发表于 2013-6-10 21:51:46 | 显示全部楼层
我有个疑问,ff是快速,ss是慢速吗?那sf或fs呢?
发表于 2013-6-10 22:28:36 | 显示全部楼层
都是针对不同浓度的N型和P型掺杂来说的,即
FF: Fast N Fast P
SS: Slow N Slow P
SF: Slow N Fast P
FS: Fast N Slow P
发表于 2013-6-11 04:02:03 | 显示全部楼层



如果想让设计合格率高,应该跑所有可能的情况。只是想能做出几个样品,那跑一个tt也不是不可以。
发表于 2013-6-11 14:58:09 | 显示全部楼层
这要根据你的电路设计,就像4楼说的一样,这四种仿真是针对电路里的N型和P型MOS来说的,前面的字母针对NMOS,后面的字母针对PMOS。例如fs仿真,是让NMOS的开关速度比平时快些,而PMOS的开关速度比平时慢些,实际仿真过程中会改变MOS器件的一些参数(比如阈值电压,沟道长短等等,可以在仿真模型文件里看到),做这种仿真主要是针对数字电路,比如在内存电路里,MOS开关的快慢不同会导致内存的读写错误。模拟电路需要做蒙特卡洛仿真,针对器件差异,温度变化对电路的影响等等。个人观点作参考。
 楼主| 发表于 2013-6-11 20:06:55 | 显示全部楼层
回复 2# luckyhuihui666


    非常感谢,有点明白了
    还有个问题,是不是同一批次的只会出现一种corner比如这个批次是tt,下个批次可能是ss,但决不可能这个批次既有tt,又有ss
发表于 2013-6-12 18:37:42 | 显示全部楼层
回复 7# xianweng


   是的,只要是同一批做的wafer就是一种corner,但是排除机器出了问题,控制精准出了偏差。一般来说,一个批次的wafer都是一中corner。
发表于 2013-6-12 18:39:33 | 显示全部楼层
回复 6# Golden_Hawk


   模拟电路的f和s针对你所说的vth等等,会产生较大影响,并不是说只有数字才会对corner考虑。
 楼主| 发表于 2013-6-13 22:08:51 | 显示全部楼层
回复 9# luckyhuihui666

明白了,多谢
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-6 07:18 , Processed in 0.021609 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表