到底应该仿几种corner？

xyn777 · 发表于 2013-6-14 01:20:13

俺一般也只跑这四个：ss ff tt sf fs

stone1005 · 发表于 2013-6-14 10:37:47

回复 12# xyn777

再数下？好像5个都全了？忘记在那本书里提到过，为了加快速度，可以做tt sf和fs就可以了。

stone1005 · 发表于 2013-6-14 10:51:17

回复 9# luckyhuihui666

这个个人不赞同，同一个wafer上不同位置的芯片多数是不一样的。更别说是同一个批次。所以在最坏情况下，同一个wafer上有可能出现所有的corner。只是概率大小的问题。请注意每次foundry给的pcm参数，都是有最大值和最小值以及平均值。也就是最大值和最小值在corner允许的范围内，平均值接近tt corner就算满足合格条件。好的工艺，同一个wafer上的芯片。同一批次的wafer甚至同一年的参数都是很接近的，偏差的范围不是很大，就已经很了不起了。一般的工艺则不同批次性能就有不小的差别。最差的就是同一片wafer性能都千差万别...对于数字电路，可能没那么明显，但是对于模拟电路，这个就比较明显了。从同一个wafer上拿到的芯片，很少有做到完全相同的，只是性能非常接近就不错了。

luckyhuihui666 · 发表于 2013-6-14 21:59:04

回复 luckyhuihui666

这个个人不赞同，同一个wafer上不同位置的芯片多数是不一样的。更别说是同一个批 ...
stone1005 发表于 2013-6-14 10:51

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你说的是offset吧，不是corner吧

math123 · 发表于 2013-6-14 22:15:41

本帖最后由 math123 于 2013-6-14 22:16 编辑

回复 luckyhuihui666

这个个人不赞同，同一个wafer上不同位置的芯片多数是不一样的。更别说是同一个批 ...
stone1005 发表于 2013-6-14 10:51

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比较赞成你的看法，有次一个振荡器后仿频率相对偏差是30%，一片wafer出来的测试结果是25%。因为供电电压比较准确，而且是外接电阻产生电流，所以频率的相对偏差就只和bandgap精度和MOS cornor有关，这也从侧面证明了一片wafer上面是各种MOS cornor都存在的。但是电阻电容、BIP的话就不知道了。

ttxxmm · 发表于 2013-6-16 15:15:04

建议都跑

aqishisi · 发表于 2013-6-21 21:53:35

fight against PVT!

tobytian · 发表于 2016-2-23 14:03:21

回复 6# Golden_Hawk 请问在哪些模型文件里可以清晰的观察每个器件的参数的不同，初学者不太懂，谢谢

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