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[讨论] 关于带隙基准的一些疑问

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发表于 2013-5-17 09:46:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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对基准有些疑问,请教各位
1. 对温度一阶补偿后的二次曲线(近似)为什么有的开口向下有的开口向上

2. 论文中实现Sub-1V的基准都采用电流模结构,为什么不用电压模的基准分压呢?(当然要经过阻抗变换比如加个运放)
发表于 2013-5-17 13:09:23 | 显示全部楼层
1. 二阶温度补偿一般是S形状,无所谓开口不开后,如果说有开口的话,是你补偿还不够。
2. 一般1.2电压分压的基准都要求电源电压>1.2V, sub-1V的基准的应用一般是考虑电源电压很低(<1.2V)
 楼主| 发表于 2013-5-17 14:23:56 | 显示全部楼层
回复 2# TianBian365


   哦, 是这样


但是第一个问题我问的是一阶补偿啊,一阶补偿后的效果肯定近似抛物线的!为什么有的开口向下而有的开口向上呢?
你说的那是高阶补偿了
发表于 2013-5-17 14:40:52 | 显示全部楼层
理论上要开口向下,开口向上应该是引入了其它量进来
比如运放输入的offset电压如果随温度变化可能就有开口向上(由Razavi知OP offset对基准电压影响较大)
发表于 2013-5-20 10:55:15 | 显示全部楼层
Sorry.
一阶的开口是由于电阻类型造成的。
你可以做3个测试实验来做比较:
1. 使用理想电阻做bgr
2. 使用负温度系数电阻做bgr
3.使用正温度系数做bgr
电阻温度系数是造成开口的原因。
由于工艺不同,有的正或负的温度系数的TC1,TC2 不足以使得开口向上。。所以要求你自己设定温度系数做一个研究。
另外,如果电阻模型中包含了电阻衬底电压系数,也有可能造成开口影响。。希望你比较后回复在这里。:)
发表于 2013-5-20 14:41:25 | 显示全部楼层




    基于BJT的是向下的,基于MOS管是向上的。
发表于 2013-5-20 22:29:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 ygchen2 于 2013-5-20 22:31 编辑


Sorry.
一阶的开口是由于电阻类型造成的。
你可以做3个测试实验来做比较:
1. 使用理想电阻做bgr
2. 使 ...
TianBian365 发表于 2013-5-20 10:55


一阶的开口是由于电阻类型造成的,是猜想吗?能否说说其中缘由。
发表于 2013-5-21 09:23:06 | 显示全部楼层
是电阻和Vt温度系数的原因,这个可以推导的,而且仿基准的时候也会发现这个问题
发表于 2013-5-22 22:04:56 | 显示全部楼层
回复 8# kiolop

是因为电阻的二阶温度系数很大吗?如果是那样的话,需要看你所用电阻二阶温度系数是不是起主导作用。如果其它二阶温度系数起主导作用,可能这个开口方向就不会由电阻决定了。
发表于 2013-5-22 23:56:09 | 显示全部楼层
回复 5# TianBian365


    基准电压和电阻比例相关,这样的电阻温度系数会影响吗?
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