请不要做spice monkey!!!

klng1025 · 发表于 2013-5-16 13:48:10

这么火的帖子

Jeecoun · 发表于 2013-5-17 00:37:30

回复 305# grfly

想请教comparator 上的寄生npn是怎么导致工作不正常的？DRC也没检查出来吗？

szyacj · 发表于 2013-5-17 09:42:53

楼主换头像了？都是牛人的头像啊

mcgrady · 发表于 2013-5-17 12:33:01

此帖精华甚多，各路豪杰，指点江山
哪位大大把此帖整理成一份
好下载下来慢慢品味

hszgl · 发表于 2013-5-17 14:51:31

回复 323# zwtang

膜拜唐老师！
有段时间不来晃了。。。没想到这篇帖子让不少大牛也冒泡。可喜~

xu_qicheng · 发表于 2013-5-17 17:00:32

回复 333# Jeecoun

个人猜测是有可能由于其他的模块的噪声影响，寄生NPN被trigger了，这样就导致寄生NPN的collector端有漏电流，若collector端是比较器的输入的话，就有可能导致工作不正常了。这种寄生，DRC是检查不出来的，纯属个人观点，仅作参考

rayhardenne · 发表于 2013-5-17 17:11:59

这么老的帖子至今还依旧火= =拜服

zwtang · 发表于 2013-5-17 19:42:35

回复 324# jxjxhwx
"Tradeoffs and Optimization in Analog CMOS Design"此书确实不错，非常值得认真学习和研究。

谢谢推荐！

zwtang
2013/5/17

zwtang · 发表于 2013-5-17 19:55:01

本帖最后由 zwtang 于 2013-5-17 19:56 编辑

回复 326# Evanpeng

1. Powerdown就是将Opamp关闭。MND1-MND4，MPD1-MPD2为Powerdown管。2. 220nm和900nm，MN7和MP7为线性管，用于调整wide-swing bias的cascode管的源极电压，这样使得电流镜管处于饱和区。
3. 设计初始阶段，VGSeff取200mV。然后，根据仿真性能，部分管子会调整为150mV或者250mV。
4. 能效比gm/ID对电路设计非常重要。

zwtang
2013/5/17

Evanpeng · 发表于 2013-5-18 02:28:21

回复 328# JoyShockley
很明显，你这个方法的片面性，只工作在强反区。已经被我前面的帖子提到过。

没有考虑处理大信号，尤其是在深亚微米低功耗设计，管子的工作会涉及到基本所有区。

这与sansen讲的是不一样的。k=VDS*（gm/2Id）=VDS/（VGS-Vth）在强反区，公式成立。

参数应该是越简单越好。从上面公式看出， k〉1的结论。

不过，这个从gain出发，还是不错。

zwtang也没有太理解我的问题。

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