请不要做spice monkey!!!

zwtang · 发表于 2013-5-14 10:28:41

在强反型区，VDSsat近似为VGS-VTH，略微大一些或者略微小一些都有可能。

弱反型和速度饱和区的VDSsat，目前就我所知，没有那本书详细讨论过。弱反型和速度饱和区的线性区域，就更没有人深入讨论过。这些都是器件和模型的盲区！

有兴趣，你可以研究一下。说不定能够发现一些新东西。

zwtang
2013/5/14

hualeizhang_wu · 发表于 2013-5-14 10:59:28

回复 312# zwtang

唐老师：
图里的VGS-VTH约为13mV，VDSsat是75.629mV。
差了这么多，算是管子工作在强反型区里靠近弱反型区的状态下吗？还是其它原因？强反型区里VGS-VTH和VDSsat之间是不是有某种关系，不能再认为是近似相等了

hualeizhang_wu · 发表于 2013-5-14 11:01:14

抱歉，图显示有误

登录/注册后可看大图

Evanpeng · 发表于 2013-5-14 12:23:59

回复 313# hualeizhang_wu

基本概念搞清楚，vgs-vth=13mv是在什么区？还是在weak 反型区

很多人误认为， vgs〉vth就是强反型！

gaojun927 · 发表于 2013-5-14 13:59:16

回复 313# hualeizhang_wu

要严格的说，这也与所用的器件模型是什么有关系。不同器件模型里划分工作区的公式都有所不同，所以要想严格的知道这个问题的答案，直接看模型里的公式是最准确的。vdsat=vgs-vth这个公式只是level1下的公式，其他模型对这个做了比较多的修正，虽然核心还是这样，但细节上已经差异很大了。所以会有vdsat~vgs-vth的感觉，但仔细一看，有时差异还是不小。

microyang2013 · 发表于 2013-5-14 15:58:02

回复 303# zwtang

Tang sir, 您对gm/id 的设计方法怎么看？我最近也在研究这个东西，看了一些paper，感觉设计一些简单的电路还可以，稍微复杂一点的（比如两级运放），就不怎么好用了，我是模拟刚刚接触，还请大拿指教！该怎么入手呢？谢谢！

microyang2013 · 发表于 2013-5-14 16:03:56

回复 290# JoyShockley

楼主，前面有同学一直问你gm/id 的设计问题，关于matlab和gm/id 的那些参数表格仿真的问题，您能不能回复下呢？让
我等小白学些学习，瞻仰下呗！

JoyShockley · 发表于 2013-5-14 17:26:13

回复 318# microyang2013

见一楼课件

zwtang · 发表于 2013-5-14 19:09:45

回复 313# hualeizhang_wu

VGS-VTH=13mV，MOS管工作在弱反型。如果VDS<VDSsat=75.6mV，MOS管工作在弱反型的线性区域；如果VDS>VDSsat=75.6mV，MOS管工作在弱反型。也许，可以简单这么看。

zwtang
2013/5/14

zwtang · 发表于 2013-5-14 19:24:48

回复 317# microyang2013

我们课题组采用gm/id设计方法。即，通过改变MOS管的Finger数来调节id和gm。如果在Opamp中，除了差分对管和Powerdown管，NMOS管只有一种尺寸，PMOS管只有一种尺寸。这样的话，你就真正理解Opamp设计了。
贡献一个TSMC0.18um工艺上流片验证过的Opamp设计例子给大家看看。该例子可以作为大家讨论gm/id方法的例子。
zwtang
2013/5/14

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