LDO方面知识求助。

jeff_zx

回复 10# lmy86


    你的给我们看看整个电路，尤其第一级是怎么样的，如果你第一级的gain比较大，这个的补偿可能是真不行的。

jeff_zx

回复 10# lmy86


    你描述的感觉还不是很清楚。我看你的参数只能猜测：

Cm也是外接的。不是片上集成的？

道理上讲，这种补偿轻重负载是会有个主极点的切换过程，很轻的负载时，应该是输出电容为主pole。重载是米勒效应显著，输出等效
电阻减小，主极点在内部。

按理，这种结构两头都是好调的，反而是不大不小负载很容易出问题。

你这个结构，有两个地方要再想想
1、米勒电容 220nF，这么大的电容，米勒补偿中的右半平面零点，该怎么处理。
2、外接mos的栅电容比较大，而且存在mos管不同选型的问题，栅电容带来的pole可能会在一个大的范围变动，这个也比较麻烦。

所以第一级的结构很重要，最好show出来给大家看看。

另外这个LDO的BW应该会很小，瞬态响应应该会比较差。

还有,

1kohms*220n*10mA/V*10kohms
这个计算不一定对，取决于你给这一级多大的电流，电流很大的情况下，nmos等效的输出阻抗可能是小于1K的

以上只是猜测，LDO的讨论最好应用范围和想要达到的指标和电路都有个大概。

xjf20072608

回复 12# jeff_zx


    Cm上面再串联一个电阻，R1的两端并联电容，这样的拓扑可否？

lmy86

回复 8# jeff_zx


    highlight 部分是我将要设计的。其余是外部应用电路图，外置的miller以及PMOS。外置MOS选型固定。现在就是想插入一零点最好与输出电流有关系，一起移动更好。

1kohms*220n*10mA/V*10kohms
这个计算gm是根据这个管子流过1mA的电流时的gm。 该PMOS的RDS我认为比较大，输出阻抗是RDS//ROUT。所以以Rout近似。

lmy86

回复 11# jeff_zx


   谢谢你的回复/ 第一级以及补偿是我正要设置的。外围应用是固定的！