MOS管的截止频率ft

蓝白朵朵 · 发表于 2012-12-4 10:53:59

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本帖最后由蓝白朵朵于 2012-12-5 20:44 编辑

我用AC和S参数仿了NMOS管和PMOS的ft，两种仿真结果一样，然后用ft=gm/(2*pi*(Cgs+Cgd))验证了一下，发现NMOS管仿真和计算结果一样，PMOS管计算结果比仿真结果小很多，Cgs、Cgd、gm都是在cadence原理图上显示的，请问大家出现过这样的问题吗？

蓝白朵朵 · 发表于 2012-12-5 09:39:24

没人回答吗？

zhdy891009 · 发表于 2013-3-23 15:39:21

你好，我也想仿真一下，但是不知道怎么仿真，可以把电路给出来吗？谢谢。我现在仿真的结果很不对。谢谢。

蓝白朵朵 · 发表于 2013-4-24 11:39:22

回复 3# zhdy891009

$S6GR_[G8BM(OHX%G4@K77H.jpg

俩电流相等时的Freq就是截止频率，AC仿真，偏置电压就是你整体电路的各节点电压~额，仅供参考。。。

semico_ljj · 发表于 2013-4-24 15:48:12

这么仿？

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 18:01:57

回复 4# 蓝白朵朵

不需要这么仿真吧，FT=gm/cgg/2pi，只是一个与v_star(=类似长沟道管子的过驱动电压)和L有关的参数啊，接成二极管接法，扫描VGS（=VDS）， .PRINT ft=par("gmo(m1)/cggbo(m1)/2/3.1415") 即可。再扫描L

hezudao · 发表于 2013-4-24 21:57:29

回复 6# JoyShockley

你这样做没发现问题，你还算研究过gm over I'd, 这样连看看gm over id都到多少了。在weak inversion的时候都已经不在饱和区了。

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:14:23

回复 7# hezudao
看的时候把横坐标调成v_star,款且我只关心v_star=200mv左右的FT啊。 v_star=100mv-400mv，管子最多也就这样取了，这样做没有问题的，我已经做过啊。。。。。。这条曲线主要是为了得到v_star与FT的关系。有时我需要设计管子在某个L下的FT，通过这条曲线找到v_star
,然后再找到需要的W。

我实际就是这样操作的，不太关心弱反型的状态。ft与vds关系很小（从理论和仿真都可以得到这个结论），故接成二极管接法即可。

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:17:48

回复 7# hezudao

虽然叫做gm/id的方法，但现在流行的是用vstar=2*id/gm来做设计参数（有时需要用FT来做设计参数）。关于vstar的解释都可以近似往过驱动电压上靠

hezudao · 发表于 2013-4-24 22:20:00

回复 8# JoyShockley

你说你的管子永远vdsat>100mv,,,,,,,,

[求助] MOS管的截止频率ft

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