MOS管的截止频率ft

kinglij

marking

firevortex

回复 29# hezudao


   那么为啥weak inversion还可以那么用呢？没理解，求讲解

zcyg542

能具体说明下仿真细节么？ 现在先进工艺的Ft都很高了，具体改怎么仿呢？

dk.peng

mark~~

HITHC

JoyShockley说得对……

pqzhu88

学习学习，长长见识，谢谢了

feynmancgz

回复 6# JoyShockley


   Actually，I think ft is defined by engineers, so ft does not exist physically.
   It depends how you define ft.
   When you do the simulation to measure ft, diode-connected is not absolutely correct. well, at least in KULeuven.
   the diode-connected "ft" you get, in KULeuven, we call it f3dB. it's lower than ft because parasitic capacitance at the drain is added to the gate. That's a way to judge a process.

天涯123

想求一下0.5um的MOS管的截止频率

核桃树

MOSFET的截止频率fT一般是指电流放大系数截止频率，即是共源组态MOSFET在输出交流短路、电流放大系数等于1时的工作频率。 #^-0@/-+~~~(^$$_

在线性区工作时，截止频率fT与沟道长度L的平方成反比、与源漏电压VDS和迁移率μ成正比： fT ∝ μVDS/L2 。

在饱和区工作时，截止频率fT与沟道长度L的平方成反比、与饱和电压(VGS-VT)和迁移率μ成正比： fT ∝ μ(VGS-VT)/L2 。

可见，为了提高截止频率，就需要减小沟道长度和增大饱和电压，但这正好与提高电压增益相矛盾。实际上，饱和区的截止频率也就等于其饱和区的电压增益与频带宽度的乘积（也称fT为MOSFET的增益-带宽乘积），所以MOSFET的电压增益与工作频率之间存在着矛盾，难以同时兼顾。然而在提高工作频率与提高开关速度方面，它们的要求是完全一致的。

对于较短沟道的MOSFET，是载流子漂移速度vs饱和（饱和速度为vs）而导致电流的饱和，这时截止频率将随沟道长度L的变化而反比地减小： fT ∝ vs/L 。