vally switch

zhengjq01 · 发表于 2013-4-24 16:30:57

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有谁做过原边控制PFC芯片，谷地可能降到－10V，想准确检测到谷地。有没有高手。

silverpuma · 发表于 2013-4-24 17:18:08

本帖最后由 silverpuma 于 2013-4-24 17:20 编辑

回复 1# zhengjq01

不可能精确检测的。。。。你即使检测到谷底，经过比较器延迟，开关延迟，真正开通的时间已经不是在谷底了。。。。而且LC谐振的频率都不会很大的，一般几百nS，到谷底的时候应该还要除以2，时间更短。更多的是，你做那么精确对你到底有多大意义？谷底无非就是降低EMI和提高开通损耗，-10V和-8V或者-6V翻转，你从系统上看得出来差别么？

zhengjq01 · 发表于 2013-4-25 10:00:41

谷底检测还有一个好处就是可以不改变外围元器件，比如，我现在用一个比较起来检测设置为0.4比较，但是因为工艺的偏差，我的外围应用需要加一个电容方可以检测，但是是在第三个谷地检测到的，所以现在我要作的事情就是让其在第一个谷底就能检测到，谷地检测是降低EMI和开通损耗，当然谷底检测是不能精确检查到，可是希望能做到逼近谷地。输入信号为－10V，谷地电压因为ESD的原因被削底为－Vth,这给信号处理带来一个麻烦，我有个想法是通过电流尾随转换为电压，通过移相的方式逼近谷地。可是这里面对工艺的要求很苛刻。寻求他法。

suows · 发表于 2013-4-25 10:59:58

实际上这是一个与ZVS本质上相同的问题，你用的什么工艺？

zhengjq01 · 发表于 2013-4-25 13:11:50

CSMC 0.5UM BCD工艺，您有什么好的建议吗？

zhengjq01 · 发表于 2013-4-25 13:14:59

这个项目已经流片成功，只是为了把性能和竞争里做得更好。

silverpuma · 发表于 2013-4-25 17:09:42

回复 6# zhengjq01

说实在话，你的谷底做的再好，也没有多大的竞争优势的，只是波形好看一点。EMI是系统测试的结果，在哪个地方开和最终的结果没有直接关系；开关损耗是看整体效率，QR提高那么一点点，本来最多也就2~3%个点，在哪个地方开也没有多少影响的。给靓仔两个专利看看吧，看看能不能有所突破。

功率转换器的控制器以及准谐振功率转换器的控制方法_崇茂.pdf (926.86 KB, 下载次数: 27 )

122013137 · 发表于 2017-6-21 16:25:07

谷底做的再好，也没有多大的竞争优势

[原创] vally switch

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