关于CMOS工艺中diode的使用问题

kwankwaner · 发表于 2013-4-12 14:36:48

回复 10# nashmvp

摊到一个die没到一分估计
两种电压一般是4.2的电池，5的usb，那么你mos管0.8V的vth总够用了，而且这管子面积一般跟你内部电路面积一样大，不用担心负载变化的。而且你内部电路实际的电源还是得由反馈来钳位的，不可能直接用这个电源，所以不应该有影响。

那就是没有了，啥工艺？

xiaowanzi88 · 发表于 2013-4-12 16:25:06

回复 6# nashmvp

估计你的工艺里面可能没有肖特基二极管，针对你的设计要求，可以考虑使用二极管接法的MOSFET来实现，50mA的导通电流，建议在并联个数上多增加一些，以减小导通内阻，考虑一下这样的管子实际功耗，以及发热时候给周边器件的匹配带来的影响。感兴趣的话，你可以使用一个分立的二极管，尝试通过50mA电流，估计在导通瞬间，在不串联限流电阻的前提下，会直接烧掉。

semico_ljj · 发表于 2013-4-12 16:50:38

power select circuit

mercybucher · 发表于 2013-4-12 18:41:07

为什么不用MOSFET做个switch呢？

lovexxnu · 发表于 2013-4-13 00:52:03

本帖最后由 lovexxnu 于 2013-4-13 00:54 编辑

回复 7# nashmvp

这个是要看你diode上面走的电流有多大，50mA的电流太大了，在power上面加diode，diode功耗就将近30mW,对于一般电路来说太大了，发热会成问题，电路的efficiency会降低很多，还是把你的想法大概画个图看看吧

nashmvp · 发表于 2013-4-15 09:41:06

回复 11# kwankwaner

HHNEC 0.13

nashmvp · 发表于 2013-4-15 09:52:45

回复 14# mercybucher

担心MOS不稳定，怕电流影响二极管接法的MOS压降过大，电压太低了。

nashmvp · 发表于 2013-4-15 09:54:43

回复 12# xiaowanzi88

不串联限流电阻是啥意思，无负载直接接地吗？之前的产品两个电源和这几个二极管一直是放在片外的，用着貌似没啥问题啊，这次为了节省板级面积，要求做进去了。

nashmvp · 发表于 2013-4-15 09:58:56

回复 15# lovexxnu

30mw放在片内影响会非常大嘛？一直没注意这个。方案见图，不知道是不是描述清楚了。

mercybucher · 发表于 2013-4-15 23:56:34

回复 17# nashmvp

那可以用P管啊，不用接成二极管形式

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