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[求助] 关于CMOS工艺中diode的使用问题

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发表于 2013-4-11 15:34:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做一个产品,需要通过两个二极管来将两组不同的电源系并联,即V1和V2分别通过两个diode连在一起,当一个没电时就由另一个供电,两个同时有电时就以更高的一个供电。
使用时遇到如下几个问题。
1. 二极管有 P diff,N diff,Nwell,native n几种,在使用时应该选用哪种呢,各自在特性上有什么区别?
2. 二极管是不是在任何电压下都是正常工作的,因为不会像MOS管一样有几种特性吧?

谢谢!
发表于 2013-4-11 16:16:54 | 显示全部楼层
帮顶~~~~~~~~
发表于 2013-4-11 17:27:09 | 显示全部楼层
回复 1# nashmvp


   建议你用肖特基,很多工艺的二极管都不能正偏的因为电流太大,稍不留意就和周围的地方组成pnp或者npn了,那么collector会流很大电流
发表于 2013-4-11 17:32:29 | 显示全部楼层
肖特基二极管固然是很好,快速开启,但是多一层mask;
其实,从纵向角度看器件,非衬底隔离型二极管,正向导通时候,都是一个三极管,往衬底注入电流,容易引起latchup。如果有隔离型二极管可以考虑使用,但是正向导通电流大小和二极管面积大小需要计算,避免器件局部过热和电流积聚。
发表于 2013-4-12 08:48:35 | 显示全部楼层
回复 1# nashmvp


   看电源load有多大,load要是大的话二极管应该比较难做,不如用level shift + por
 楼主| 发表于 2013-4-12 10:47:02 | 显示全部楼层
回复 4# xiaowanzi88


    我用的工艺有如下几种二极管,由于二极管是放在电源和电路间的,势必要走较大电流,超过50mA,请问该如何选择呢?还有就是如果用普通二极管如何更好的避免 latch up?MOS管一般会通过打guard ring,二极管也用这种方法吗?

我的工艺有这几种diode:
1. P diff diode
2. n diff diode
3. Nwell Diode
4. Low vt nDiode
5. Low vt pdiode
6. Psub-Deep NWell Diode
7. Pwell-Deep Nwell Diode
不知道哪种更合适?
 楼主| 发表于 2013-4-12 10:54:23 | 显示全部楼层
回复 5# lovexxnu


    负载电流比较大,超过50mA了。
    麻烦指教一下level shift 加por怎么用呢,怎么等效于diode的功能?
    我的目的就是能够让两组电源哪个高就由哪个供电,而且希望压降尽量小,比如我系统供电是电源是5V,而电池供电时电源约3.6V,假设二极管的压降是0.7V,我可以在5V上串联2个二极管,在3.6V上串联1个二极管,这样,负载电路就会工作在2.9V~3.6V。
 楼主| 发表于 2013-4-12 11:04:24 | 显示全部楼层
回复 3# kwankwaner


    肖特基二极管不知道是不是每个工艺都有?我在我的工艺下没有找到这种二极管,而且后边xiaowanzi88 版主 说要多一层mask,产品做好后是要量产的,而这个二极管全芯片可能就用不超过3个,为此多1层mask,量产后每次流片也会贵一些,这样就不太行了。
发表于 2013-4-12 11:12:00 | 显示全部楼层
回复 8# nashmvp


   他说的带隔离阱的也要多mask的,而且有的工艺这层和肖特基的那层是一样的,而且数字为了防漏电也要用这层,量产的话掩膜费用比制造费就低了啊,当然要看你量。   实际上用mos管代替就可以了啊,你这个不就类似充电宝之类的么
 楼主| 发表于 2013-4-12 14:01:44 | 显示全部楼层
回复 9# kwankwaner


      哦,都会加一层那就无所谓了,我的意思是量产的时候wafer的价格也会和层数有关系,多一层的话wafer价格也会贵一些。
      如果采用mos管做二极管的话,会不会由于负载电路的工作导致压降的变化呢,比如负载重的时候这个二极管接法的mos管压降会大一些,这样相当于负载电路的供电电压就低了,而当负载轻的时候压降小一些,相当于负载电话的供电电压就高了,我的负载电路中有震荡器结构,电压变化会对精度有影响吧?

      另外,我还是没有在工艺中找到肖特基二极管,pcell中有很多二极管比如ndiff,pdiff等等,但是没有看到肖特基的,这个是pcell里会带的吗,还是说我用的这个工艺就没有这种二极管?
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