哪种结构的Capless型LDO更实用？

扑火

大家好，小弟现在研究capless型LDO（不是capfree），已看了些论文，也已在尝试设计，目标是以后能用在产品中。。。
就目前看的有限的paper来说有几种比较典型的补偿结构，比如：
1、Leung的Damping-factor-control frequency compensation
2、VCCS(voltage controllend current sources)
3、动态零点补偿
4、基于FVF（Flipped VoltageFollower）有源反馈的
等，阅读资料有限，列了上面四个。。。
现在有个问题请教做过LDO的前辈们，哪种结构的capless型LDO更实用一些，适合全集成或者用在SOC里面？请有经验的前辈分享一下经验，如果有其他实用的结构能否提供些paper？我要求的LDO负载不会很大，一般都在50mA一下，典型的5mA~20mA。。。
多谢了！

microstudent

看看这篇

An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Undershoot-Reduction for SoC

个人觉得做capless, 通过一个子电路感知output voltage 的spike 直接对power transistor的gate 直接进行相应的充放电，是一个简单明了的解决方案。

mekenny

相应速度要很快吧？

semico_ljj

回复 2# microstudent


    有paper直接看看嘛？
谢谢

semico_ljj

回复 2# microstudent


    有论文可以直接看嘛

扑火

   

看看这篇

An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Under ...
microstudent 发表于 2012-12-4 21:13

                               
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    谢谢！我去找来看看！请问，您做过这个电路？

扑火

   

相应速度要很快吧？
mekenny 发表于 2012-12-4 21:34

                               
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    也没要求很快，不过capless LDO一般都会有瞬态增强的附加结构吧。。。

扑火

   

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    有paper直接看看嘛？
谢谢
semico_ljj 发表于 2012-12-4 23:25

                               
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    这篇文章我已经下到，很新的一篇paper，不过电路有点复杂。。。。一起看吧。。。

扑火

An Output-Capacitor-Free Adaptively Biased Low-Dropout Regulator With Subthreshold Undershoot-Reduction for SoC

abbr_305ab0c4b17b95510f8694f04101f54a.pdf (3.19 MB , 下载次数: 4519 )

2012-12-5 09:19 上传

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semico_ljj

不过capless LDO一般都会有瞬态增强的附加结构，这个结构倒是有的，只是响应速度快不快是关键！
这个我也做得不太好！也在研究中