如果nmos的阈值电压为1V,pmos的阈值电压为-1V，采用VDD=2V，是否合理啊

lishiliang · 发表于 2012-11-29 16:20:42

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如题~~要设计一个这样叠层（2层/3层）结构的电路~~在线等回复~~~谢谢未命名.jpg

liiru · 发表于 2012-11-29 16:51:30

个人认为是行不通的；两个阈值就把电源裕度吃尽了。另外，似乎有一种说法：当N和P的阈值之和超出电源电压的时候，对于模拟设计就非常困难了。

lishiliang · 发表于 2012-11-29 17:02:04

回复 2# liiru

我也是这样认为的，CSMC0.5u工艺的nmos和pmos管的阈值就像题目所给的那样，而且还没考虑衬底偏压，温度等影响。BOSS给的任务，用这个工艺设计温度传感器，放大器，多路复用器，还要低功耗~~~我觉得似乎不能完成啊！？？要不要向BOSS反映一下啊~~

evlvu · 发表于 2012-11-29 20:37:01

回复 3# lishiliang

low voltage设计两个vth足够了，不过可能要用多级代替cascode

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-29 22:58:22

要是多级的话那其他的指标能到达到吗？

lishiliang · 发表于 2012-11-30 10:50:13

回复 5# selfsalvation04

不好说啊，电压余量太小了，设计起来trade off更不好搞了~~多级的话，功耗会增加，相位裕度也不好保证

lishiliang · 发表于 2012-11-30 10:53:39

回复 4# evlvu

设计指标要求要低功耗，整个系统包括一个温度传感器，一个光传感器，一个8选1多路复用器，一个ADC……，要求功耗在几百uW，第一次设计，我感到对目标没有信心啊

semico_ljj · 发表于 2012-11-30 11:19:11

低功耗设计

touching · 发表于 2012-11-30 20:32:18

看指标要求把，如果不在乎指标，那还是可以做出来的

selfsalvation04 · 发表于 2012-12-1 00:40:05

有难度，不好做

[讨论] 如果nmos的阈值电压为1V,pmos的阈值电压为-1V，采用VDD=2V，是否合理啊