MOS管小信号电阻

fuyou_never · 发表于 2012-11-24 18:05:46

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这是电路中的尾电流管，在不同Vds 下gds分别为 347.8和249.3n 在饱和去Id一定的情况下小信号电阻ro大概是个恒定的值，可是这里两者阻值相差1M多，请问这是半导体中什么效应引起的（ Vds越大 ro越小（饱和区Id近似不变的时候），我可以这么理解吗？）

fudancyz · 发表于 2012-11-24 18:57:09

不应该是这样的吧，gds我没有遇到过这么大的。单位看错了？

touching · 发表于 2012-11-24 20:02:28

沟道调制效应，使Id与Vds相关，导致，gds不稳定，理想情况下，gds=0，ro无穷大。

fuyou_never · 发表于 2012-11-24 21:50:26

回复 3# touching

我也认为是这种效应，可是图上尾电流管在两个不同VDS下 Ids基本上没有变化啊，可是gds变化很大，和速度饱和什么的有关系吗？

fuyou_never · 发表于 2012-11-24 21:53:39

回复 2# fudancyz

没有看错单位，这个小信号电阻ro大概3~4M欧姆我不明白的是Ids基本不变的情况下 ro变化这么大。

zhongbo1127 · 发表于 2012-11-24 21:59:54

Vds电压与饱和区沟道pinch off长度非线性引起的。

zhongbo1127 · 发表于 2012-11-24 22:02:28

Vds越大，实际上得到的pinch off长度越小，因此对饱和区电流影响越小。
看看施加反向电压的二极管电压与势垒区宽度的公式就知道了。

mhleu · 发表于 2012-11-24 22:26:28

簡而言之channel-length modulation,就是Vds增加造成pinch-off點變動深入channel,其結果就是
有效通道(effect channel length)變短了!

fuyou_never · 发表于 2012-11-24 22:52:13

回复 7# zhongbo1127

谢谢！

fuyou_never · 发表于 2012-11-24 22:52:16

回复 7# zhongbo1127

谢谢！

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