MOS管小信号电阻

kwankwaner · 发表于 2012-11-26 14:05:19

回复 8# mhleu

不对的，你说的就是沟道调制效应，随着vds增加，有效沟道不仅会减小，其减小速率也会减小，导致的的是ro增加，而不是他说的ro减小。

这是VDS过大导致漏极导致势垒下降，沟道电流增加导致ro减小。

kwankwaner · 发表于 2012-11-26 14:06:54

回复 7# zhongbo1127

不对的，你说的就是沟道调制效应，随着vds增加，有效沟道不仅会减小，其减小速率也会减小，导致的的是ro增加，而不是他说的ro减小。

这是VDS过大导致漏极导致势垒下降，沟道电流增加导致ro减小。

kwankwaner · 发表于 2012-11-26 14:09:50

本帖最后由 kwankwaner 于 2012-11-26 14:12 编辑

回复 4# fuyou_never

不对的，ls说的就是沟道调制效应，随着vds增加，有效沟道不仅会减小，其减小速率也会减小，导致的的是ro增加，而不是他说的ro减小。

这是VDS过大导致漏极导致势垒下降，沟道电流增加导致ro减小。再大一点还有漏到衬底电流，更加减小ro。

速度饱和是VDS大到夹断沟道之后，ID不再随VGS呈现2次方而是线性关系，是gm的变化，和ro无关

fuyou_never · 发表于 2012-11-26 17:35:07

回复 13# kwankwaner

非常感谢，明白了！

fuyou_never · 发表于 2012-11-26 17:39:25

回复 13# kwankwaner

拉扎维16章有这个介绍，看书还是不够细致，感谢指教！

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