这个LDO的极限参数为什么是±20V，请高手指点，谢谢！

math123 · 发表于 2012-9-4 03:17:09

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本帖最后由 math123 于 2012-9-4 03:39 编辑

平时看到的芯片引脚反偏电压的极限是-0.3V，这个20V的高压
LDO芯片为什么是-20V啊？spec在附件里，请高手指点，谢谢！

TianBian365 · 发表于 2012-9-4 09:43:50

这个不是正常使用的范围，而是芯片管脚的最大可承受带你呀范围，超过这个范围芯片有可能坏掉。。。

math123 · 发表于 2012-9-5 02:23:56

本帖最后由 math123 于 2012-9-5 02:27 编辑

这个不是正常使用的范围，而是芯片管脚的最大可承受带你呀范围，超过这个范围芯片有可能坏掉。。。
TianBian365 发表于 2012-9-4 09:43

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我的意思是普通芯片的反向耐压是-0.3V，以VDD和GND之间为例，因为存在衬底-漏极二极管，所以有-0.3V的限制，

反偏电压大于二极管的导通电压就会烧坏，但是附件里的芯片的反向电压可以到达-20V而不损坏，不知道是否高压工艺的原因，

因为要把衬底-漏极二极管的反向承受电压做到20V，所以正向导通电压也能到20V？

正在做反向，需要研究spec，谢谢！

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