关于ESD电流泄放问题请教

calear · 发表于 2012-2-15 16:34:59

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如题，ESD防护简单来说是否就是找一条通路将ESD引起的电流泄放到地（GND）上？引导到VCC上的电流实际也是泄放到地（GND）上的？
如果，电路中有高于VCC的电压或者有低于GND的电压，是否还是将电流引导泄放到GND上？
如果，衬底电压不是GND,那大电流进入SUB后是否需要将电流引导到GND上？
由latchup引起的电流是否也可以这样思考？

calear · 发表于 2012-2-16 10:04:42

自己顶顶顶

dabing · 发表于 2012-2-17 15:08:41

(eWiley) ESD in Silicon Integrated Circuits (2nd Ed.)
想了解的话可以看看这本书

anamnesis · 发表于 2012-2-17 17:25:55

第一个问题：电地间通过clamp泄放
第二个问题：不能说是引到gnd上，应该说是引到gnd的pad上
第三个问题：同上

calear · 发表于 2012-2-18 17:23:39

回复 4# anamnesis

很感谢

jian1712 · 发表于 2012-2-20 16:18:30

回复 1# calear
•关于第一个问题，以HBM为例，ESD会产生于任意两个Pin之间，所以ESD防护的原则是任意两个Pin发生ESD时,ESD电流都能够找到通路泻放掉，那么这个通路有可能是内部电路也有可能是ESD网络，所以ESD防护需要让ESD电流从ESD网络泻放掉，否则内部器件将会被ESD电流损伤。在HBM测试中，有6种测试模式，分别是PD(i/o to VDD +), ND(i/o to VDD -),PS(i/o to vss +), NS(i/o to vss -), i/o to i/o(+/-),在这6种测试模式中，参考电位是变换的，同时在放电端施加正向或者负向脉冲，所以对于ESD防护而言没有哪个是真正的地，因为任何一个Pin都会被选作参考电位或者放电端。

•关于第二个问题，ESD防护架构有很多种，既要保证任意两个pin之间有电流泻放通路，同时还要保证正常工作状态下不发生PN结正偏现象

•第三个问题如果电路允许，可以将ESD bus连接至sub,然后所有的PAD都对这个bus放电

•第四个问题Latchup测试模式和ESD测试模式不一样，所以不能和ESD同样看待,Latchup防护对于layout来说可以通过增大P+/N+spacing, 插入guardring, 使用well隔离等方式实现防护作用

•欢迎讨论Latchup测试方法和防护问题

•拙见而已，欢迎指正

木子阿丹 · 发表于 2012-2-21 09:48:40

学习了

cw佛学 · 发表于 2012-2-24 22:44:47

非常感谢

huang.xiwei · 发表于 2012-2-25 00:30:03

非常感谢，学了了！~

思路NO1 · 发表于 2012-2-26 23:59:57

学习了

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