关于ESD电流泄放问题请教

sky9566701 · 发表于 2012-2-27 12:04:14

學習一下非常感謝!!

brightheart · 发表于 2013-7-20 19:59:10

回复 6# jian1712

十分详尽，学习了！谢谢！

5846336 · 发表于 2015-12-18 12:57:33

非常感谢

jiejie318 · 发表于 2016-2-19 09:26:48

回复 6# jian1712

版主好问个问题~希望您能看到，能指点一下就更好了~我的问题是这样的~

同样一个NPN，在作为ESD保护电路时，下面哪种连接方式电流能力强？还有就是发射极作为PAD时，ESD工作原理是怎样的，TLP曲线会不会有“骤回区”？谢谢~希望您能回复一下~十分感谢！

SHAOJIHUA1234@1 · 发表于 2016-9-26 14:51:26

学习中

Snowy2016 · 发表于 2016-9-26 17:58:25

回复 14# jiejie318

个人觉得发射集面积相对比较小（当然你也可以画大），可能对ESD会有影响。不过第二张图PAD接正电位的时候会順偏漏电哦！

janvery · 发表于 2016-11-16 13:57:08

markmark

sujh0755 · 发表于 2022-6-22 14:35:00

jian1712 发表于 2012-2-20 16:18
回复 1# calear
•关于第一个问题，以HBM为例，ESD会产生于任意两个Pin之间，所以ESD防护的原则是任 ...

请问一下，ND和PS模式的放电通路是不是相同的？比如一个VDD到GND的GGNMOS，VDD->GND加正脉冲，和GND->VDD加负脉冲，放电通路是不是一样的？还是有什么区别？

hua1314 · 发表于 2022-8-17 09:37:31

jian1712 发表于 2012-2-20 16:18
回复 1# calear
•关于第一个问题，以HBM为例，ESD会产生于任意两个Pin之间，所以ESD防护的原则是任 ...

很详细，学习了

layout_520 · 发表于 2022-10-28 16:40:39

非常感谢，学到了，有收获

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