请教：升压降压电路版图 latchup 防护

calear · 发表于 2011-12-29 10:33:37

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本帖最后由 calear 于 2011-12-29 10:43 编辑

如题，电路中有vcc,gnd,vh,vl 四个电压，NSUB，PWELL,现在衬底接vh,大电流管有两个保护环，但是由于vh电压刚开始是比vcc低的，所以latchup 防护环应该怎么接呢？

calear · 发表于 2011-12-29 13:28:48

自己顶一下，别沉了。。。

jian1712 · 发表于 2011-12-29 16:48:37

本帖最后由 jian1712 于 2011-12-31 09:44 编辑

回复 2# calear
Q1. vcc, vh, vl, gnd是四个pad,还是vh,vcc连接到相同的pad, vl和gnd连接到相同的pad                                     Q2. 为什么不把nsub接到最高电位的vcc, 为了隔离噪声么
Q3. 按照现有的接线方式，会有latch-up的风险，前仿是可以看到在vh低于vcc的周期内vcc和vh之间的电流大小，如果能够看到，这个电流会持续多久
Q4. 如果无法改变nsub的连接方式，可以考虑增大vh连接的密度，同时增大vh连接的metal的线宽，保证diffusion和metal足以承受那么大的电流，然后再想在周围加保护环

拙见而已，欢迎指正

ghifi37 · 发表于 2011-12-30 19:15:44

保险起见，阱隔离环可以不要；如果实在想要的话，保持和Vcc的距离，电位可以接vh；我以前结过gnd，距离又不够，那时候vh还和vcc同电位，在毛刺作用下就是latch-up发生器。
你这个工艺是哪里的多大尺寸？P阱工艺还像现在难得见了。

guoweiqust · 发表于 2011-12-30 22:35:13

论坛有没有相关的资料啊

jiangtaojack · 发表于 2011-12-31 10:59:24

p阱工艺,没有见识过,学习一下

calear · 发表于 2012-1-7 15:51:16

回复 3# jian1712

谢谢，实验芯片就出现了大电流，可是测试条件有限，不能肯定是这个问题。按理论上是肯定会出现大电流的，可是版图上真不知道怎么办
vh=5v-6v
vcc=3.3v
gnd=0v
vl=-5v--6v
刚上电大概30微秒vh<vcc
测试时vh和vcc接二极管，效果不好，似乎没用

calear · 发表于 2012-1-7 15:55:31

回复 4# ghifi37

谢谢，我有想过不加阱保护环，可是只要芯片中有阱还是会有这个问题，芯片面积本身不大，距离可能影响不大啊

ghifi37 · 发表于 2012-1-7 22:05:23

回复 jian1712

谢谢，实验芯片就出现了大电流，可是测试条件有限，不能肯定是这个问题。按理论上是肯定 ...
calear 发表于 2012-1-7 15:51

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动态选择Nsub的电位吧，不然解决不了。是不是漏画了什么？Vh如果只接衬底，就没必要存在了

ohrad · 发表于 2012-2-13 17:31:43

帮忙顶

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