【求助】请问smic65工艺，encounter的DRC错误

GavinICer · 发表于 2012-1-3 20:51:26

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本帖最后由 ensure19870620 于 2012-1-3 20:53 编辑

新手，请问关于smic65布局布线，最后一步报通孔错误，怎么解决？谢谢！

快照1.jpg

damonzhao · 发表于 2012-1-3 20:56:54

到GUI中看看具体情况先

GavinICer · 发表于 2012-1-3 21:27:42

回复 2# damonzhao

谢谢，是这个GUI吗？
快照2.jpg

icfbicfb · 发表于 2012-1-3 21:48:40

看下cell layout view，fillNotch了没，

最好到calibre drc 看看， edi的很多 violation 是假的

GavinICer · 发表于 2012-1-3 21:53:35

回复 4# icfbicfb

多谢，fillNotch怎么弄？

icfbicfb · 发表于 2012-1-3 22:03:53

就是fillnotch啊，直接打命令

GavinICer · 发表于 2012-1-4 22:07:51

回复 6# icfbicfb

谢谢！再问一个关于filler的问题，有三个选项Add Well Tap..... Add End Cap.... Add Filler....
这三个有什么区别，怎么保证所有的位置都加上呢？

icfbicfb · 发表于 2012-1-4 22:28:07

add filler就是add filler， fillerC（带cap的filler），旨在减少nw , sp, sn的min spacing error，也把这些东西连成一片， fillerC还有去耦的功能，保证电源的稳定性

add welltap是给nwell和psub加偏置，满足反偏置条件，防止latchup ，一般在floorplan的时候加好，
-checkboard 可以减少数量，

add endcap是针对triple well工艺或者防止ose，pse效益而加，维持一个闭合的nwell，
或者增加yield，防止od， po的周围环境不一样，多用于65,45nm下的工艺

GavinICer · 发表于 2012-1-5 09:56:13

回复 8# icfbicfb

我昨天只用了add filler这一项，今天DRC时，报错：Latchup.Guidance.3_b:Maximum space from any point within Source/Drain reginon to the nearest pickup AA region inside the same well for I/O and internal circuits.
是不是因为没有用add welltap这一项？其中add welltap菜单中，各个选择项怎么确定啊？
Cell Name选择项：有FILLCAP*_A12TL，FILLCAPTIE*_A12TL，FILLTGCAP*_A12TL，FILLTGCAPTIE*_A12TL，FILLTIE*_A12TL类型的，我应该选哪一种类型呢；
MAX.Gap between cells along row应该填什么数值（我的core面积为100x140）。
谢谢了！！！
快照8.bmp

icfbicfb · 发表于 2012-1-5 11:46:47

这个是fill welltap引起的问题，选FILLTIE吧，是smic的 65 12track lib吧，

distance 选119 ，

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