关于0.13um工艺中估算宽长比的问题

wspyl · 发表于 2011-11-9 11:50:49

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本帖最后由 wspyl 于 2011-11-9 16:23 编辑

一、请问在0.13um工艺中估算宽长比时，NMOS的Un*Cox与（Vgs-Vth）、PMOS的Up*Cox与（Vgs-Vth）一般取多少啊？
二、还有就是我看拉扎维的书上说，一般NMOS的电子迁移率Un是PMOS的空穴迁移率Up的4倍，那是不是意味着在估算宽长比时，在相同Id下，一般PMOS的宽长比要取为NMOS的4倍？

哪位大哥知道麻烦赐教一下，谢谢了。

semico_ljj · 发表于 2011-11-9 14:43:57

不一定取4倍，要综合考虑面积，延时和功耗等因素！
而且一般也不会取4倍这么大

wspyl · 发表于 2011-11-9 16:22:07

不一定取4倍，要综合考虑面积，延时和功耗等因素！
而且一般也不会取4倍这么大
semico_ljj 发表于 2011-11-9 14:43

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谢谢啊。
那Un*Cox与Vgs-Vth这些一般取多少呢？

kwankwaner · 发表于 2011-11-9 16:52:07

回复 3# wspyl

看model文件里面能推出来的，或者直接仿真再反推

firefly-317 · 发表于 2011-11-10 13:38:21

根据拉扎维的书和仿真后的结果反推一下，记住这个数量级以后就可以估算了

wspyl · 发表于 2011-11-15 18:12:17

根据拉扎维的书和仿真后的结果反推一下，记住这个数量级以后就可以估算了
firefly-317 发表于 2011-11-10 13:38

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但是我根据实际电路仿真后反推出来的结果，不同位置的MOS管以及相同位置的PMOS和NMOS管，它们的Un*Cox或者Up*Cox都有很大的不同啊，不过基本上是在一个数量级。

snake6269 · 发表于 2012-5-11 14:38:31

恩，感谢楼主啊！学习了好多！

lizhen89 · 发表于 2012-5-23 16:03:28

学习了的

zsy7758758 · 发表于 2012-5-23 20:03:11

.13工艺中也有PMOS与NMOS宽长比为1:1的.

hsphy · 发表于 2012-5-23 23:09:39

仿个inverter，以1/2 VDD为cross point来确定比例吧

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