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查看: 3709|回复: 4

[求助] 有用DNWnmos做LDO的power device的吗

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发表于 2011-10-20 14:06:51 | 显示全部楼层 |阅读模式

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由于nmos的衬偏效应,所以我选择使用DNWnmos但是不知道好不好用?
或者使用native nmos,不知道大侠们更推荐使用哪一个?
发表于 2011-10-23 10:46:22 | 显示全部楼层
native nmos
发表于 2011-10-31 13:39:37 | 显示全部楼层
Native MOS ---->More Leakage,Simulation model isn't accuracy.
DNWNMOS--->Give more ESD protection,reduce substrate noise,large area.
 楼主| 发表于 2011-11-2 19:54:30 | 显示全部楼层
回复 3# xiaowanzi88


     多谢斑竹
发表于 2020-11-2 14:05:01 | 显示全部楼层
用NMOS做power device时,环路相位裕度怎么去保证,有这一块的paper吗?我设计的相位裕度就一二十的样子
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