有用DNWnmos做LDO的power device的吗

fengtang2332 · 发表于 2011-10-20 14:06:51

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由于nmos的衬偏效应，所以我选择使用DNWnmos但是不知道好不好用？
或者使用native nmos，不知道大侠们更推荐使用哪一个？

tianbian360 · 发表于 2011-10-23 10:46:22

native nmos

xiaowanzi88 · 发表于 2011-10-31 13:39:37

Native MOS ---->More Leakage,Simulation model isn't accuracy.
DNWNMOS--->Give more ESD protection,reduce substrate noise,large area.

fengtang2332 · 发表于 2011-11-2 19:54:30

回复 3# xiaowanzi88

多谢斑竹

mixiu · 发表于 2020-11-2 14:05:01

用NMOS做power device时，环路相位裕度怎么去保证，有这一块的paper吗？我设计的相位裕度就一二十的样子

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