如果以下电流通过,MOS管A和B流过的电流分别是多少:
① 走8mA电流,A、B各走4mA?流过A的电流比流过B的电流大?
情况1、metal电阻与MOS管导通电阻相比可以忽略,A、B各走4mA;
情况2、假设metal电阻和MOS管导通电阻同一数量级,就基尔霍夫计算了;
情况3、MOS管导通电阻与metal电阻相比可以忽略,A、B各走4mA;
情况4、通情况2.
②走20mA电流,A走15mA,B走5mA?B烧毁?
③走25mA电流,A走20mA,B走5mA?B烧毁?
情况②和③考虑方式与情况①类似,同时design rule给出的metal current density是电迁移情况,影响的是产品的长期可靠性,在给定的current density数量级上,即使最终metal发生电迁移、时间也是以“年”来计算的,与MOS管烧毁没有关系。MOS管的烧毁还是从几种情况后流经MOS管的电流与IDsat的关系来确定。