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关于Nmoat和Pmoat的讨论与解释 在《模拟电路版图的艺术》中,常出现Nmoat和Pmoat,之前已经有人讨论(参见http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=69713&extra=&page=1,在看版图艺术这本书时,里面的PMoat和NMoat看不明白) 《模拟电路版图的艺术》中文版88页是这样介绍的:“图3.29展示介绍了使用成为N型沟槽和P型沟槽的绘制实现CMOS晶体管的一般方法。这些层并不对应于独立的掩模板,而对应于几个掩模板的结合。绘制在N型沟槽(Nmoat)层上的图形可以同时产生NSD和沟槽掩模板的图形。同样,绘制在P型沟槽(Pmoat)层上的图形可以同时产生PSD和沟槽掩模板的图形。沟槽的几何尺寸一般与产生它们的N型沟槽区和P型沟槽区相同,而NSD和PSD的图形会略大一些,以保证源/漏注入区完全覆盖沟槽区开孔。使用Nmoat和Pmoat绘制层可通过减少绘制晶体管所需的图形简化版图。”
上述介绍可以通过下面图进行解释。图中斜线绿色矩形为多晶硅栅、红色虚线三角形填充的虚线框矩形为沟槽层(通常可以说为开窗尺寸,通常版图中起名为有源区)、其它两个黑色虚线矩形为注入层1、注入层2。这些层都是版图的绘制层。
在MOS管的制作过程中,步骤如下: 先光刻制作多晶硅栅GC(MOS管的栅极)è使用沟槽层刻蚀开孔è依次离子注入注入层1(注入层的图形比开孔、开窗稍大些,保证离子完全注入。DRC会有检查)è离子注入注入层2。完成MOS管制作。 注入层1、注入层2,可以是N型(或P型)离子、MOS管阈值调整离子注入/沟道效应调整注入层等等。根据工艺的不同,可以有不同或更多的注入层。从而可以制作实现不同类型的MOS管。 至于书中提到的“使用Nmoat和Pmoat绘制层可通过减少绘制晶体管所需的图形简化版图。”,不是很清楚。
以上只是个人的结合工作的体会认识,希望大家多多回帖讨论。 lixiaojun707 |