关于《模拟电路版图的艺术》Nmoat和Pmoat的讨论与解释

司徒温孤 · 发表于 2011-8-23 15:21:11

呵呵，学习了工艺实现过程哈

hujiangtao007 · 发表于 2011-8-26 16:22:20

这个讲得很有道理！

yutaotmac · 发表于 2011-8-30 11:15:27

米看懂？？

lixiaojun707 · 发表于 2011-8-30 16:43:13

回复 13# yutaotmac

如果你画过layout就好理解了。
你可以翻看一些讲版图的帖子和书籍就可以很好的理解了。

jiangtaojack · 发表于 2011-8-31 09:41:28

学习了，

zhaoqianying · 发表于 2011-11-27 18:22:45

在CMOS工艺中，器件与器件之间的区域需要生长场氧化层，并在场氧化层下的衬底中注入高浓度的杂质离子（又叫做沟道阻断注入），使场氧化层下寄生的MOS管的阈值电压很高，场氧化层之上的金属连线电压达到最大值时衬底中不会出现沟道。在英文文献中，场氧化层区域叫做inverse moat region，MOS器件的有源区叫做moat region。在普通MOS管中，moat region即是MOS管的有源区，在这个区域进行高浓度的注入形成源漏和背栅的欧姆接触，如图5所示。但是在扩展了漏极的MOS管中，存在两个moat region，如图6所示，在两个moat region之间生长了厚的场氧化物，但是场氧化物下面不进行沟道阻断注入，两个moat region之间的厚场氧化物可以提高栅极和漏极之间的击穿电压。

图5

图6

lixiaojun707 · 发表于 2011-11-28 20:08:25

回复 16# zhaoqianying

图6的MOS管用做ESD器件。
但是我现在所碰到的ESD MOS管并没有采用两个moat region，只是加大了漏极和栅的距离,相当于在栅和漏极之间增加了阻抗。
这比你所介绍的图6 的MOS管工艺简单。
我的问题是：它们区别是什么？各自的应用场合又如何？
谢谢

allen_tang · 发表于 2011-11-29 09:33:50

回复 17# lixiaojun707

图六下方是HV的asymmetric MOS，俗称的DMOS

guoweiqust · 发表于 2011-12-9 10:40:44

i couldn't understand it clearly.....

02015678 · 发表于 2011-12-9 21:42:19

感谢楼主的解释，受用了。

[原创] 关于《模拟电路版图的艺术》Nmoat和Pmoat的讨论与解释

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