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[求助] TSMC工艺下,普通N管作在DNW里,LVS过不掉,谁知道是什么原因

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发表于 2011-5-6 16:46:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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TSMC工艺下,普通N管作在DNW里,LVS过不掉,谁知道是什么原因
发表于 2011-5-7 22:59:17 | 显示全部楼层
不清楚你的问题,说的在清楚点
发表于 2011-5-8 09:41:16 | 显示全部楼层
N管怎么能做在NW里?
发表于 2011-5-8 15:32:54 | 显示全部楼层
LVS 过不掉 是什么意思?
发表于 2011-5-9 15:24:52 | 显示全部楼层
你说的太笼统了,最好把图发上来。其实一般就这几个方面:
1。版图上DNWNMOS有端软连接
2。你的rule里没有定义DNW管,需要自己定义
3。如果你电路上用的是普通管,但是你想加上DNW来增加隔离效果,那么你需要让DNW的电位与衬底一致。
发表于 2011-5-10 17:23:51 | 显示全部楼层
最主要的是tsmc提供这种device ,
发表于 2011-5-17 19:28:45 | 显示全部楼层
回复 2# conniezhou
RE
发表于 2011-5-23 18:00:33 | 显示全部楼层
说的太模糊,是不是认不出这种device, 怀疑主要是

1. 看LVS文件中这种device 怎么定义的
2. 看你layout中的层次组合是否符合lvs中这种device的定义
发表于 2011-5-25 13:02:45 | 显示全部楼层
楼上说的不错,先看rule里是怎么定义的。再者纠正下楼上上。。。的一位,DNW layer一般属于和NW相连的,所以在DNW AND NW 环里加上和PSUB一样的电位PICKUP下才可以。
发表于 2011-5-31 23:53:55 | 显示全部楼层
之前也是遇见过这种情况,calibre没过,不过assura却可以过。
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