芯片内部电源转换问题

gaom9

咨询一个问题：
项目组正在规划一个SoC芯片，里面主要是数字电路+Flash，有ADC，准备采用TSMC 0.18um FLASH工艺。由于这个SoC要求只能采用3.3V的单电源供电（以前我们的做法是采用3.3V和1.8V两相电源供电，3.3V给IO，1.8V给Core），也为了兼容3.3V的逻辑输出。
但由于综合的数字电路、Flash都是得用1.8V供电的，故在芯片内部需要把外部接入的3.3V转换成1.8V来给Core供电，这样是通过内部加入一个LDO还是DC-DC来实现呢？（准备用3.3V 0.18工艺做IO，1.8V 0.18工艺做Core）
由于芯片Core部分比较大，不能只用一个电源来进行供电，那边对于芯片内部，LDO或DC-DC是否是给每个电源都接上一个呢？
由于LDO、DC-DC都有一定的损耗，这样做设计上要怎么考虑？
另外由于LDO等涉及到功率管的问题，在TSMC 0.18um FLASH工艺上难以实现吧？
请各位指教，感谢！

goodsilicon

DC-DC喽，core的电流有多大？用MOS管也OK了。

gaom9

回复 2# goodsilicon


    最好能有60mA，即约到100mW

这样DC-DC要分多个来实现吧？一个IO大约只能到20mA的
若用普通的MOS做功率管，那还得更小

goodsilicon

60mA已经很小了。
不太明白你说的意思。

gaom9

回复 4# goodsilicon


    你好，我的意思是，由于没有专用的MOS功率管，若输出电流过大，怕用一般的MOS导通电阻过大，造成DC-DC的自身损耗过大。
    我原来是想是否需要芯片内部用多个DC-DC来实现，但后来查了一些别的芯片方案，DC-DC都是要外接元件的，内部通常只有一个。
    若60mA算比较小的话，那应该用一个DC-DC就能实现就够了。
    谢谢！

gaom9

这里面由于输入和输出的压差比较大，要是用LDO的话，效率会很低，因此要选用DC-DC，是这个原因吧？

Laker610

建议使用LDO。3.3~1.8的转换，对于DC-DC而言太低了，DC—DC一般用于电压差为几伏到十几伏的转换，且要求外围电感和大功率管，且还有振荡。而LDO虽然效率低一些，但对于3.3~1.8效率完全足够大，且稳定，并能集成，无需外部元件。

gaom9

回复 7# Laker610


    就两个人回复，已经出现了不同的看法了，我也在想用哪个好，还想听听其他人的建议，谢谢！

goodsilicon

60mA用DC-DC确实有点鸡肋。
我开始以为core的电流会很大，没想到只有60mA。
不知道是做产品，还是做着玩？

gaom9

回复 9# goodsilicon


    你好，这个是要做产品的，由于要用在移动设备上，因此低功耗和电源效率很重要。
参考了大家的建议以及看了一些文章后，最后决定用LDO了。