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[讨论] 芯片内部电源转换问题

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发表于 2010-10-25 10:07:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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项目组正在规划一个SoC芯片,里面主要是数字电路+Flash,有ADC,准备采用TSMC 0.18um FLASH工艺。由于这个SoC要求只能采用3.3V的单电源供电(以前我们的做法是采用3.3V和1.8V两相电源供电,3.3V给IO,1.8V给Core),也为了兼容3.3V的逻辑输出。
但由于综合的数字电路、Flash都是得用1.8V供电的,故在芯片内部需要把外部接入的3.3V转换成1.8V来给Core供电,这样是通过内部加入一个LDO还是DC-DC来实现呢?(准备用3.3V 0.18工艺做IO,1.8V 0.18工艺做Core)
由于芯片Core部分比较大,不能只用一个电源来进行供电,那边对于芯片内部,LDO或DC-DC是否是给每个电源都接上一个呢?
由于LDO、DC-DC都有一定的损耗,这样做设计上要怎么考虑?
另外由于LDO等涉及到功率管的问题,在TSMC 0.18um FLASH工艺上难以实现吧?
请各位指教,感谢!
发表于 2010-10-25 10:13:34 | 显示全部楼层
DC-DC喽,core的电流有多大?用MOS管也OK了。
 楼主| 发表于 2010-10-25 10:41:31 | 显示全部楼层
回复 2# goodsilicon


    最好能有60mA,即约到100mW

这样DC-DC要分多个来实现吧?一个IO大约只能到20mA的
若用普通的MOS做功率管,那还得更小
发表于 2010-10-25 12:58:31 | 显示全部楼层
60mA已经很小了。
不太明白你说的意思。
 楼主| 发表于 2010-10-25 13:38:16 | 显示全部楼层
回复 4# goodsilicon


    你好,我的意思是,由于没有专用的MOS功率管,若输出电流过大,怕用一般的MOS导通电阻过大,造成DC-DC的自身损耗过大。
    我原来是想是否需要芯片内部用多个DC-DC来实现,但后来查了一些别的芯片方案,DC-DC都是要外接元件的,内部通常只有一个。
    若60mA算比较小的话,那应该用一个DC-DC就能实现就够了。
    谢谢!
 楼主| 发表于 2010-10-25 14:09:11 | 显示全部楼层
这里面由于输入和输出的压差比较大,要是用LDO的话,效率会很低,因此要选用DC-DC,是这个原因吧?
发表于 2010-10-25 14:57:52 | 显示全部楼层
建议使用LDO。3.3~1.8的转换,对于DC-DC而言太低了,DC—DC一般用于电压差为几伏到十几伏的转换,且要求外围电感和大功率管,且还有振荡。而LDO虽然效率低一些,但对于3.3~1.8效率完全足够大,且稳定,并能集成,无需外部元件。
 楼主| 发表于 2010-10-25 17:38:52 | 显示全部楼层
回复 7# Laker610


    就两个人回复,已经出现了不同的看法了,我也在想用哪个好,还想听听其他人的建议,谢谢!
发表于 2010-10-26 17:00:47 | 显示全部楼层
60mA用DC-DC确实有点鸡肋。
我开始以为core的电流会很大,没想到只有60mA。
不知道是做产品,还是做着玩?
 楼主| 发表于 2010-10-26 20:34:24 | 显示全部楼层
回复 9# goodsilicon


    你好,这个是要做产品的,由于要用在移动设备上,因此低功耗和电源效率很重要。
参考了大家的建议以及看了一些文章后,最后决定用LDO了。
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