流片出来栅极击穿了！！

semico_ljj · 发表于 2010-5-26 17:39:03

ESD 打坏的几率没有真么高的

refugee · 发表于 2010-5-26 21:53:58

14# guang3000 Hi, guang3000. Could you pls explain your concern about the ESD protection of this V2I circuit. It seems strange to me. For this kind of circuit, we usually put a ESD near the pad, and put a ESD res near the gate and source.

纯白雾隐 · 发表于 2010-7-7 11:21:00

谢谢各位了，流片结果可能会在7月底出来，到时候看被击穿情况了

guang3000 · 发表于 2010-7-7 11:41:17

Hi, guang3000. Could you pls explain your concern about the ESD protection of this V2I circuit. It seems strange to me. For this kind of circuit, we usually put a ESD near the pad, and put a ESD res near the gate and source

不知道呢，别人芯片里面的电路。。。

wind2000sp3 · 发表于 2010-7-7 12:05:42

pad到a之间加一个1~10K的电阻，然后在a上加一个5V的mini ESD。长个教训，以后pad不能直接接到栅极。

duling653 · 发表于 2010-7-7 13:03:23

用作ESD保护的电阻好像一般50，100欧的样子就可以了，楼上说要用上K的电阻是否过大

zjzhang1124 · 发表于 2010-7-8 01:00:18

反正运放输入阻抗高，多点ESD 隔离电阻也是不错的

goodsilicon · 发表于 2010-7-28 11:56:39

用作ESD保护的电阻好像一般50，100欧的样子就可以了，楼上说要用上K的电阻是否过大
duling653 发表于 2010-7-7 13:03

登录/注册后可看大图

yes, 太大。

piao · 发表于 2010-7-28 23:12:36

通常PAD接栅极的中间都会有一个限流电阻

122013137 · 发表于 2010-7-29 09:35:12

大点有坏处

[求助] 流片出来栅极击穿了！！

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