请教一个版图走线中电流密度的问题？

zhengsheng

在版图中走线，如果走直流，允许的最大电流密度是1mA/um，那么经验上走交流对应的最大电流密度是多少？

PS:偶正在做的是一个PA，交流电流值很大，接近直流的电流！

谢谢！

ulsi123

10 ~ 20X of DC current.

kimi_cxl

据我了解所谓的最大电流密度规则是指在某个温度下（一般是110度）持续走这么多电流可以保证多少年金属线不断。并非指最大电流耐受能力

ulsi123

We are talking about "Electron Migration", and typically there are three design specs: DC, AC & RMS at different temperature.

bandgap

We are talking about "Electron Migration", and typically there are three design specs: DC, AC & RMS at different temperature.
ulsi123 发表于 2010-6-30 12:43

                               
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Hi, ulsi123, how about transient current for huge fanout digital buffer?
It is another "Electron Migration" issue?

Thanks alot for your help.

zhengsheng

对，我的表达有些问题；
一般的PDK中，也只提到一个推荐设计者用的电流密度（一般设计只要不超过这个值就ok了，所以就加了个最大……）。
我的问题也就是，怎么在这个推荐的直流电流密度基础上，折算出推荐的交流电流密度。
3# kimi_cxl

zhengsheng

Yes,but now what puzzle me is that the GSMC  only recommend DC current density. So how can I convert it to the AC current density?


4# ulsi123

zhengsheng

3Q3Q!!!
2# ulsi123

liushangpiao

显然，这个跟AC频率有关，也跟AC较大尖峰电流部分在一个周期内占的比重有关，AC频率越大，比重越大，
即动太电流的RMS较大，需要走更宽的线，一些工艺的PDK有相应推荐的公式。。还有些经验系数。。
没有的话，1mA AC 电流走 1/4 1mA DC 的线宽，差不多了。。
个人浅见，，

ulsi123

诚然，许多工艺文件中并没有都给出AC、DC、RMS的设计规格，但最新的一些工艺，如90nm、65nm等等，好的FAB都会提供所有条件下的electron migration的设计参考规格。早先的一些paper，如 http://www.eecs.berkeley.edu/~hu ... CNF/HuC_CNF_202.pdf 就已对这些方面做了不少的研究。从中可以看出，AC要比DC承受的电流密度大很多倍，有人甚至说AC情况下不存在electron migration的问题，当然，还是保守起见为好。另外，其实electron migration跟走线的长度有关，有的FAB甚至会给出不同线长下的AC、DC、RMC的规格。